刘健
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：贵州省教育厅自然科学研究项目贵州省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析被引量：1
- 2016年
- 采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面形貌特点。在40 min的热退火后,Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面完全熟化。本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致。
- 周海月赵振郭祥魏文喆王一罗子江刘健王继红周勋丁召
- 关键词：分子束外延扫描隧道显微镜退火时间
- 多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究
- 2016年
- 通过分子束外延生长方法,在GaAs(001)衬底上制备生长12周期,16周期,20周期的InGaAs/GaAs量子点,分析了多周期生长的InGaAs/GaAs量子点在16周期下出现较好分布的机理。以及在生长16周期的InGaAs/GaAs量子点下,分析了未退火和退火的初始表面对于量子点分布的影响,未退火处理的衬底生长的InGaAs/GaAs量子点分布更加均匀且有序,量子链延伸得更长。
- 刘健王一郭祥王继红罗子江郎啟智赵振周海月丁召
- 关键词：量子点扫描隧道显微镜分子束外延
