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陈喜明

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇外延层
  • 3篇栅电极
  • 3篇碳化硅
  • 2篇电容
  • 2篇多晶
  • 2篇碳化硅器件
  • 2篇自对准
  • 2篇自对准工艺
  • 2篇氙气
  • 2篇氪气
  • 2篇污染
  • 2篇离子注入
  • 2篇金属污染
  • 2篇刻蚀
  • 2篇基板
  • 2篇隔离层
  • 2篇沟道
  • 2篇硅器件
  • 2篇MOS电容
  • 1篇信号

机构

  • 9篇株洲南车时代...

作者

  • 9篇赵艳黎
  • 9篇李诚瞻
  • 9篇陈喜明
  • 7篇丁荣军
  • 5篇史晶晶
  • 4篇刘国友
  • 3篇高云斌
  • 2篇刘可安
  • 2篇颜骥
  • 1篇邵云

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
MOS电容以及其制造方法
本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO<Sub>2</Sub>层。根据本方法制造的...
陈喜明李诚瞻颜骥赵艳黎高云斌史晶晶刘国友
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一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法
本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化...
陈喜明刘可安李诚瞻赵艳黎丁荣军
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MOS电容以及其制造方法
本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO<Sub>2</Sub>层。根据本方...
陈喜明李诚瞻颜骥赵艳黎高云斌史晶晶刘国友
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一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法
本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化...
陈喜明刘可安李诚瞻赵艳黎丁荣军
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一种刻蚀碳化硅的方法
本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需...
赵艳黎吴煜东李诚瞻史晶晶陈喜明丁荣军
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一种复合栅结构电容及其制造方法
本发明公开了一种复合栅结构电容及其制造方法，该电容包括：SiC衬底；SiC外延层，其设置于SiC衬底上；过渡层，其设置于SiC外延层上；绝缘层，其设置于过渡层上，其中，过渡层为异质双层晶体结构，异质双层晶体结构靠近外延层...
陈喜明李诚瞻赵艳黎刘国友丁荣军
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一种碳化硅MOSFET的制造方法
本申请公开了一种碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅外延片上制作场氧窗口，在所述场氧窗口内形成二氧化硅绝缘膜；在所述二氧化硅绝缘膜上沉积一层多晶碳化硅；刻蚀所述多晶碳化硅，留下的多晶碳化硅作为栅电极；刻蚀所述二氧...
陈喜明邵云李诚瞻赵艳黎高云斌丁荣军
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一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法
本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO<Sub>2</Sub>栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Si...
赵艳黎刘国友李诚瞻史晶晶陈喜明丁荣军
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一种刻蚀碳化硅的方法
本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需...
赵艳黎吴煜东李诚瞻史晶晶陈喜明丁荣军
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