王建峰
- 作品数：4 被引量：9H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 基于哈希的最近邻查找
- 最近邻查找是计算机视觉和机器学习领域中的一个重要的基础性问题。近年来，基于哈希的算法在处理最近邻查找的问题上，引起了很大的关注。其基本思想是用紧凑的二值码表示高维数据点，并且用二值码之间的相似性近似数据点之间在原空间的相...
- 王建峰
- 关键词：计算机视觉
- 基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术被引量：3
- 2019年
- 采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构。通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面和截面进行了对比表征。结果表明,由于在刻蚀过程中氧气的产生,相比于稳定性很好的SiO2,易于氧化剥落的光刻胶在大电压刻蚀下存在着明显的缺陷;在刻蚀电压为12~22 V时牺牲层可以被刻蚀出纳米孔结构,且随着电压的增加刻蚀孔也会增大;在刻蚀电压为23 V及以上电压时牺牲层被完全去除;刻蚀过程中刻蚀速率逐渐降低,100μm的纳米薄膜可在270 s时制作完成。
- 李昂王伟凡周桃飞周桃飞王建峰
- 关键词：电化学刻蚀硝酸钾
- 氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性被引量：3
- 2021年
- 氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应。研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响。在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响。
- 卫新发梁国松张育民王建峰王建峰
- 关键词：光导半导体开关
- GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究
- 2021年
- 氮化镓单晶衬底上的同质外延具有显著的优势,但是二次生长界面上的杂质聚集一直是困扰同质外延广泛应用的难题,特别是对电子器件会带来沟道效应,对激光器应用会影响谐振腔中的光场分布。本文通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)生长的原位处理,实现了界面杂质聚集的有效抑制。研究发现,界面上的主要杂质是C、H、O和Si,其中C、H、O可以通过原位热清洗去除;界面Si聚集的问题主要是由衬底外延片保存过程中暴露空气带来的,其次是氮化镓衬底中Si背底浓度,在外延过程中,生长载气对氮化镓单晶衬底不稳定的N面造成刻蚀,释放的杂质元素会对二次生长界面产生影响,本文较系统地阐明了界面杂质的形成机制,并提出了解决方案。
- 邵凯恒夏嵩渊张育民张育民王建峰
