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张兴元

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西北工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇导电薄膜
  • 4篇SUB
  • 4篇X
  • 2篇等离子体增强
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇溅射
  • 2篇P型
  • 2篇掺入量
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇带隙
  • 1篇内应力

机构

  • 4篇西北工业大学

作者

  • 4篇刘正堂
  • 4篇冯丽萍
  • 4篇李大鹏
  • 4篇张晓东
  • 4篇张兴元

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种p型导电薄膜Ta<Sub>x</Sub>Mo<Sub>1‑x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法
本发明涉及一种p型导电薄膜Ta<Sub>x</Sub>Mo<Sub>1‑x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法，在MoS<Sub>2</Sub>中掺入Ta元素，Ta的掺入量x为0.2～0.4。Ta掺入MoS<...
冯丽萍李大鹏杜志楠张晓东张兴元刘正堂
文献传递
一种p型导电薄膜Nb<Sub>x</Sub>W<Sub>1‑x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法
本发明涉及一种p型导电薄膜Nb<Sub>x</Sub>W<Sub>1‑x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法，在WS<Sub>2</Sub>中掺入Nb元素，受主掺杂即形成p型半导体。Nb掺入WS<Sub>2<...
冯丽萍李大鹏杜志楠张晓东张兴元刘正堂
文献传递
一种p型导电薄膜Ta<Sub>x</Sub>Mo<Sub>1-x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法
本发明涉及一种p型导电薄膜Ta<Sub>x</Sub>Mo<Sub>1-x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法，在MoS<Sub>2</Sub>中掺入Ta元素，Ta的掺入量x为0.2～0.4。Ta掺入MoS<...
冯丽萍李大鹏杜志楠张晓东张兴元刘正堂
一种p型导电薄膜Nb<Sub>x</Sub>W<Sub>1-x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法
本发明涉及一种p型导电薄膜Nb<Sub>x</Sub>W<Sub>1-x</Sub>S<Sub>2</Sub>及制备方法，在WS<Sub>2</Sub>中掺入Nb元素，受主掺杂即形成p型半导体。Nb掺入WS<Sub>2<...
冯丽萍李大鹏杜志楠张晓东张兴元刘正堂
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