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刘悦

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇金属半导体
  • 1篇金属半导体场...
  • 1篇晶体管
  • 1篇复合材料
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇GAA
  • 1篇INP
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇复合材

机构

  • 1篇吉林大学

作者

  • 1篇陈松岩
  • 1篇王本忠
  • 1篇刘式墉
  • 1篇李玉东
  • 1篇张玉贤
  • 1篇刘悦

传媒

  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇1995
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
1995年
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。
陈松岩李玉东王本忠张玉贤刘式墉刘悦
关键词：复合材料金属半导体场效应晶体管
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