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刘悦
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相关领域:
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张玉贤
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1995
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GaAs-InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
1995年
提出了一种新的生长过渡层的方法,并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料,用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的(004)晶面衍射半峰高宽(FWHM)低至140arcsec。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导为100ms/mm,可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
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复合材料
金属半导体
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