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余卫武

作品数：1 被引量：12H指数：1
供职机构：北京理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇纳米硅
  • 1篇纳米硅薄膜
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜

机构

  • 1篇北京理工大学

作者

  • 1篇林鸿溢
  • 1篇何宇亮
  • 1篇武旭辉
  • 1篇余卫武

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1995
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米硅薄膜分形凝聚模型被引量：12
1995年
从分析纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝聚（ＤＬＡ）模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散与反应限制凝聚（ＤＲＬＡ）模型．获得的结果与实验结果符合得很好．ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的．文中讨论了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系．
林鸿溢余卫武武旭辉何宇亮
关键词：纳米硅薄膜半导体薄膜
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