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武旭辉

作品数：4 被引量：28H指数：3
供职机构：北京航空航天大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇纳米硅
  • 4篇纳米硅薄膜
  • 4篇硅薄膜
  • 2篇导体
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻效应
  • 1篇生长动力学
  • 1篇微结构
  • 1篇纳米
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇硅

机构

  • 3篇北京理工大学
  • 2篇北京航空航天...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇林鸿溢
  • 4篇武旭辉
  • 3篇何宇亮
  • 1篇余明斌
  • 1篇于晓梅
  • 1篇王珩
  • 1篇李冲
  • 1篇余卫武

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 2篇1996
  • 2篇1995
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
纳米硅薄膜分形凝聚模型被引量：12
1995年
从分析纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝聚（ＤＬＡ）模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散与反应限制凝聚（ＤＲＬＡ）模型．获得的结果与实验结果符合得很好．ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的．文中讨论了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系．
林鸿溢余卫武武旭辉何宇亮
关键词：纳米硅薄膜半导体薄膜
纳米Si薄膜的结构及压阻效应被引量：9
1996年
使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术检测了纳米Ｓｉ薄膜的微结构纳米Ｓｉ薄膜由大量的细微Ｓｉ晶粒以及大量的晶粒间界面区组成．这一特殊的结构造成纳米Ｓｉ薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量．本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。
何宇亮林鸿溢武旭辉余明斌于晓梅王珩李冲
关键词：压阻效应微结构硅薄膜纳米硅薄膜
纳米硅薄膜的特点及其制备技术被引量：2
1995年
作为一项新的半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。
林鸿溢武旭辉
关键词：半导体薄膜纳米硅薄膜
纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟被引量：9
1996年
氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜.利用高分辨率电子显微镜(HREM)、Raman散射谱(RSS)、扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型,其结果与实验符合得很好.
林鸿溢武旭辉何宇亮褚一鸣
关键词：纳米硅生长动力学
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