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迟庆斌

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：云南大学更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇溅射
  • 4篇射频溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇退火
  • 3篇快速退火
  • 3篇磁控溅射技术
  • 2篇溅射气压
  • 1篇低维
  • 1篇电特性
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇度条件
  • 1篇锗硅
  • 1篇蒸汽压
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇欧姆接触电极
  • 1篇温度
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米点
  • 1篇接触电极

机构

  • 5篇云南大学

作者

  • 5篇迟庆斌
  • 4篇杨宇
  • 4篇王荣飞
  • 2篇王茺
  • 1篇杨杰
  • 1篇邱锋
  • 1篇张璋

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
磁控溅射高密度Ge/Si纳米点及光电特性的研究
Ge量子点由于尺寸接近其激子波尔半径而会产生一系列量子效应,使其光电性能区别于体材料,而发生显著的变化,可以广泛应用于探测器、激光器等多种光电器件中。在硅基底上自组织生长的Ge量子点由于具有与成熟的硅集成电路工艺兼容的特...
迟庆斌
关键词：磁控溅射光电特性
文献传递
磁控溅射联合快速退火技术制备Ge/Si量子点
本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术生长Ge量子点的方法，属于半导体量子材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术，以Ar气为工作气体，在真空度小于或等于2.0×10<Sup>-4</Sup>Pa时，首先采用射...
杨宇舒启江迟庆斌王荣飞
一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其制备方法
本发明提供一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其制备方法，属搬半导体量子点发光技术领域。本发明主要采用溅射技术，采用离子溅射仪溅射以1nm/min速率在室温下溅射金纳米薄膜，或采用磁控射频溅射技术，在预处理后的硅基底上...
王荣飞杨宇舒启江迟庆斌张璋王茺邱锋周蒙薇
文献传递
磁控溅射联合快速退火技术制备Ge/Si量子点
本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术生长Ge量子点的方法，属于半导体量子材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术，以Ar气为工作气体，在真空度小于或等于2.0×10<Sup>‑4</Sup>Pa时，首先采用射...
杨宇舒启江迟庆斌王荣飞
文献传递
一种快速退火制备Al-Si<Sup>+</Sup>欧姆接触的方法
本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术高效制备Al-Si<Sup>+</Sup>欧姆接触电极的方法，属于半导体材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术，以Ar气为工作气体，在真空度为3.0×10<Sup>-4<...
杨宇迟庆斌舒启江王茺王荣飞杨杰
文献传递
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