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王学森

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:新加坡国立大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电子态
  • 1篇单原子
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇原子
  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇偶合
  • 1篇自组装
  • 1篇相变
  • 1篇相互作用
  • 1篇结合能
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇覆盖度
  • 1篇SI(111...
  • 1篇XPS
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 4篇新加坡国立大...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 4篇王学森
  • 1篇鲍世宁
  • 1篇吕斌
  • 1篇李海洋
  • 1篇张寒洁
  • 1篇陶永升
  • 1篇何丕模
  • 1篇胡昉

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究被引量:1
2005年
报道Ge在Ru(0 0 0 1)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜 (STM)和x射线光电子能谱 (XPS)研究 .STM的实验结果表明Ge在Ru(0 0 0 1)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式 ,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长 ,而从第二层开始呈岛状生长 .XPS测量显示衬底Ru(0 0 0 1)与Ge的相互作用很弱 .Ru(0 0 0 1)表面的Ru 3d5 2 和Ru 3d3 2 芯态结合能分别处于 2 79 8和 2 84 0eV .随着Ge的生长 ,到Ge层的厚度为 2 0个单原子层 ,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约 0 2eV ,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的 2 8 9eV增加到了 2 9 0eV ,其相对位移约为 0 1eV .
胡昉张寒洁吕斌陶永升李海洋鲍世宁何丕模王学森
关键词:结合能单原子相互作用覆盖度
Ce诱导Si(111)表面重构和相变机制的研究
2022年
利用扫描隧道显微镜,研究了在Si(111)表面沉积Ce原子后在不同温度下退火得到的多种重构。在Ce覆盖度为1/3 ML和样品退火温度500℃下,得到√3×√3-R30°结构。提高样品退火温度至850℃,得到2×3重构。随着样品退火温度升至950℃,样品表面出现2×3、17×6、11×6和5×2等多种重构共存。进一步提高样品退火温度至1150℃,得到单一的5×2相。根据电子计数规则理论,提出了由蜂窝链和Seiwatz链构成的2×3、5×2和(2n+1)×6中间相的结构模型。其中,5×2重构中蜂窝链的Si原子占比最大,Ce原子覆盖度最低,结构最稳定。不同相的转变是由于Seiwatz链和蜂窝链的形成导致了体系能量的降低。本文研究对理解稀土金属诱导Si(111)表面重构的物理机制和转变过程具有重要意义。
王畅王学森肖文德
关键词:扫描隧道显微镜
Sb 薄膜表面拓扑电子态的偶合与演变
王学森
锑/铋纳米结构自组装及其原子构造和表面电子态分析
我们在石墨和硅等衬底上自组生长出半金属材料锑(Sb)和铋(Bi)的一些纳米结构,包括厚度≤4nm的纳米带和薄膜.通过用原位STM分析这些纳米带和薄膜的晶格取向和晶格参数,我们提出模型解释这些纳米结构的自组生长机理.通过用...
王学森
共1页<1>
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