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王勇: 作品数：29 被引量：61H指数：5; 供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金上海市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

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ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响: 2013年; GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命。用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响。研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷。在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷。在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命。; 李再金李特芦鹏王勇李林曲轶薄报学刘国军马晓辉; 关键词：半导体激光器 GAAS表面 ZNSE

定位生长量子点的金字塔形衬底的制备: 2017年; 在理想情况下,单光子是由量子点单光子源发光产生的。量子点单光子发射器件的制作主要利用自组织生长方法在图形衬底上结合光学微腔结构实现。采用金字塔形衬底制备量子点可实现量子点的高定位生长,该方法易于制备和隔离单光子源量子点。利用金字塔形衬底不但可以解决多个量子点占据同一个位置的问题,而且在金字塔形衬底上制备的量子点有利于光子的发射和收集。; 李占国王勇尤明慧高欣李再金李特刘国军曲轶; 关键词：光学设计量子点

自绝缘氧化限制型850nm垂直腔面发射激光器: 2011年; 介绍了一种制作氧化限制型垂直腔面发射激光器的新途径,自绝缘工艺。采用该工艺制作了氧化限制型850nm VCSELs。详细地介绍了自绝缘器件的工作原理和制作流程,并对侧氧化相关参数进行了实验研究。在此基础上,制备了不同出光孔径的850nm VCSELs器件,测得出光孔径12μm的器件最大输出功率达到10mW,微分量子效率达到43%。对不同出光孔径的器件输出特性进行了对比,并分析了产生输出特性差异的原因。; 李特郝二娟王勇芦鹏李再金李林曲轶刘国军; 关键词：NM 功率

基于全息光刻系统制备528nm周期孔阵图形被引量：7: 2015年; 基于Ga As衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀时间为30 s。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示,孔阵周期为528 nm,刻蚀深度为124 nm,具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性。; 叶镇王勇高占琦刘丹丹庄允益张思源王晓华; 关键词：光学制造全息光刻

1.3μm AlInGaAs Strained Single Quantum Well Laser Diodes with High Characteristic Temperature of 200K被引量：1: 2007年; A high characteristic temperature （T0） of 200K from a 1.3μm AlInGaAs/AlInAs single-quantum-well laser diode with the asymmetric waveguide layer structure under CW operation at 20 to 80℃ was obtained,which is the best result reported in the laser diodes （LDs） of the same active materials structure and emitting wave- length. AllnGaAs as an active layer,therefore,is very promising for the fabrication of long-wavelength LDs with excellent high-temperature performance. It is found that the asymmetric waveguide layer structure can decrease optical absorption and improve the high-temperature performance and catastrophic optical damage threshold of LDs.; 王玉霞刘春玲芦鹏王勇曲轶刘国军

DBR结构参数的X射线双晶衍射研究被引量：1: 2003年; 　利用X射线双晶衍射方法,测定了分布布拉格反射镜(DBR)的衍射回摆曲线,除了DBR主衍射峰("0"级衍射峰)外,还观察到"1"级和"2"级卫星峰。"0"级双晶衍射峰的半高宽为12.36″,衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.57″。"0"级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离,计算出了DBR的周期D及Al含量x值。X射线双晶衍射结果表明生长所得结构与设计相符合。; 李林李梅钟景昌赵英杰王勇苏伟; 关键词：分布布拉格反射 X射线双晶衍射

高功率1060nm半导体激光器波导结构优化被引量：10: 2012年; 针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,并设计了非对称、宽波导结构.对不同模式的限制因子进行了计算,结果表明,优化后的非对称波导结构能够在降低基模的限制因子的同时,增加高阶模式的损耗.; 李特郝二娟李再金王勇芦鹏曲轶; 关键词：高功率半导体激光器

GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算被引量：2: 2011年; 本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光器的增益特性,并使用MATLAB软件中的Mupad工具包求解费米积分的数值解.然后根据得到的增益拟合曲线峰值的变化计算了带间跃迁对线宽展宽因子的影响.最后,分别讨论和计算了自由载流子吸收和带隙收缩对线宽展宽因子的影响.结果表明,带间跃迁和带隙收缩对线宽展宽因子的影响较大(α因子值分别为22.562,-6.853),而自由载流子吸收对线宽展宽因子的影响较小(只有-0.605).; 张帆李林王勇邹永刚李占国马晓辉隋庆学刘国军; 关键词：半导体激光器增益

RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究: 2005年; 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。; 李林钟景昌张宝顺王勇卢鹏王晓华刘国军; 关键词：分子束外延半导体材料

缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响被引量：3: 2007年; InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响.利用高能电子衍射仪（RHHEED）得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响.采用原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线双晶衍射（DCXRD）等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172＂,77 K下迁移率为64 300 cm^2·V^-1·s^-1的InSb外延层.; 李占国刘国军李梅尤明慧熊敏李林张宝顺王晓华王勇; 关键词：分子束外延缓冲层表面形貌透射电子显微镜

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