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王小丹

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:厦门大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:医药卫生理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇掺氮
  • 1篇电子结构
  • 1篇子结构
  • 1篇外延法
  • 1篇立方相
  • 1篇结构特性
  • 1篇极图
  • 1篇非极性
  • 1篇分子束外延法
  • 1篇分子束外延技...
  • 1篇SUB
  • 1篇XRD
  • 1篇ZN
  • 1篇AFM
  • 1篇MGO
  • 1篇O
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 4篇厦门大学

作者

  • 4篇王小丹
  • 3篇周华
  • 2篇陈晓航
  • 2篇康俊勇
  • 2篇王惠琼
  • 1篇詹华瀚
  • 1篇郑金成
  • 1篇周颖慧
  • 1篇李亚平

传媒

  • 2篇材料科学
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2015
  • 1篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
用分子束外延法生长的立方相Zn<sub>x</sub>Mg<sub>1-x</sub>O薄膜的性质研究
2015年
通过分子束外延(MBE)的技术, 在富镁条件下于立方结构的MgO(100)衬底上外延生长立方相的ZnxMg1?xO薄膜。用反射高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)的方法研究了薄膜的晶体结构,结果表明,薄膜结构为四方相。用硬X射线吸收谱(XAS)的方法研究薄膜的电子结构,用透射谱的方法研究了薄膜的带隙结构;研究表明,ZnxMg1?xO薄膜中x的值约为0.58。
王小丹周华耿伟康煜堃陈晓航王惠琼周颖慧詹华瀚康俊勇
氧化镁衬底上掺氮氧化锌薄膜的生长与研究
ZnO 是一种宽带隙的半导体材料,在结构和性质上有激子束缚能高、无毒、无害等很多优点,受到研究者的青睐。但是,自ZnO 被作为光电半导体材料研究以来,p 型掺杂一直是没有完全克服的难题,而N 作为一种良好的掺杂元素,一直...
王小丹王惠琼周华李亚平郑金成陈晓航康俊勇
非极性氧化锌薄膜的外延生长及相关掺氮研究
近几十年来,宽禁带化合物半导体ZnO材料由于其自身拥有的诸多优点而越来越受到研究者的重视,然而其p型材料制备的困难依然是制约其在光电器件方面大力发展的瓶颈。本论文的主要研究思想在于从ZnO的结构方面寻求p型掺杂研究的突破...
王小丹
关键词:氧化锌薄膜分子束外延技术电子结构
MgO(110)上ZnO薄膜的外延生长及其结构特性
2019年
本文着重研究六方ZnO薄膜和立方MgO衬底之间的耦合,利用分子束外延法(MBE)在MgO(110)衬底上生长ZnO薄膜,通过原子力显微镜(AFM)表征其表面形貌,并采用紫外可见光谱(UV-VIS)研究了其光学性质,X射线衍射(XRD)用于研究生长特性和界面结构。我们的工作表明,薄膜以三维模式生长,表面平整度受到生长氧分压的影响,并且氧分压的改变会导致ZnO薄膜的生长取向的改变。由于薄膜与衬底间晶格失配较大,在240℃,1.0 ×10?3 Pa的条件下生长出了较为平整的(1013)取向的薄膜,而不是通常的c轴择优取向。
袁学斌耿伟王小丹周华
关键词:AFM
共1页<1>
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