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张雪

作品数：18 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市青年科技启明星计划国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇天文地球
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇约瑟夫森结
  • 7篇超导
  • 5篇电极
  • 4篇亚微米
  • 4篇隧道结
  • 4篇微米
  • 4篇绝缘
  • 4篇刻蚀
  • 3篇势垒
  • 3篇米线
  • 3篇光刻
  • 3篇SQUID
  • 3篇超导薄膜
  • 3篇超导材料
  • 2篇引出电极
  • 2篇势垒层
  • 2篇配线
  • 2篇芯片
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束刻蚀

机构

  • 17篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇上海科技大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 17篇张雪
  • 13篇王镇
  • 8篇张国峰
  • 8篇应利良
  • 7篇王永良
  • 7篇任洁
  • 6篇荣亮亮
  • 6篇谢晓明
  • 1篇姜泉江
  • 1篇梁广
  • 1篇张雪
  • 1篇张懿
  • 1篇王永良
  • 1篇王镇

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学院大...

年份

  • 1篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构
本实用新型提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构，所述封装结构包括：SQUID平面梯度计芯片；设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层；设置于所述缓冲层下方的基板；形成于所述基板上、且与所述SQUID平...
张国峰王永良张雪荣亮亮王镇谢晓明
文献传递
亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法
本发明提供一种亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一衬底，并于衬底的上表面形成底层超导薄膜层、绝缘薄膜层及顶层超导薄膜层；2）刻蚀去除部分顶层超导薄膜层、部分绝缘薄膜层及部分底层超导薄膜层；3）于步骤...
张雪张国峰王永良荣亮亮王镇谢晓明
一种平面超导纳米桥结的制备方法
本发明涉及一种平面超导纳米桥结的制备方法，在衬底表面进行光刻形成图案，然后沉积金属薄膜；利用离子束刻蚀金属，金属因反溅射现象沿着光刻胶形成侧壁，去胶，即得纳米桥，桥的宽度即为反溅射的金属薄膜厚度，因此可以超越光刻极限；沉...
应利良张雪任洁王镇
文献传递
深亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法
本发明提供一种深亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法，该结构包括：衬底；约瑟夫森隧道结，沿横向方向延伸形成于衬底的上表面，约瑟夫森隧道结自左向右包括第一电极、势垒层及第二电极；第一电极引出结构，与第一电极一体成形；第二电极引...
张雪应利良任洁王镇
文献传递
约瑟夫森结及其超导器件与制备方法
本发明提供一种约瑟夫森结、超导器件及制备方法，约瑟夫森结制备包括：在衬底上形成第一超导材料层、势垒材料层、第二超导材料层；刻蚀第二超导材料层形成上电极；在势垒材料层上沉积绝缘材料，然后刻蚀掉，紧接着刻蚀势垒层；最后刻蚀第...
应利良张雪任洁王镇
超导Nb薄膜的RIE刻蚀与表征
反应离子刻蚀(RIE)是超导器件制备中重要工艺流程之一。本文介绍了利用RIE对超导Nb薄膜进行刻蚀时通过调节刻蚀参数来调控薄膜侧壁的边缘倾角。由于Nb薄膜刻蚀的边缘倾角主要取决于光刻胶和Nb薄膜的刻蚀速率比,因此我们通过...
张雪张国峰金华刘晓宇王镇
关键词：超导
长基线SQUID平面梯度计制备与特性表征
超导量子干涉器件(SQUID)是一种极灵敏的磁通探测器，可以组成不同结构的磁强计和梯度计.我们在4-inch 硅片上已成功实现了基线长度3.6cm 的SQUID 平面梯度计的制备.
张雪张国峰韩昊轩王永良荣亮亮彭炜谢晓明王镇
关键词：SQUID
直读式多环SQUID磁强计
洪韬张国峰张雪张懿王镇谢晓明
亚微米约瑟夫森隧道结
本实用新型提供一种亚微米约瑟夫森隧道结，包括：衬底；约瑟夫森结，位于衬底的上表面，约瑟夫森结包括由下至上依次叠置的底电极、势垒层以及顶电极，顶电极包括第一亚微米线条及第二亚微米线条，第二亚微米线条位于第一亚微米线条上方，...
张雪张国峰王永良荣亮亮王镇谢晓明
文献传递
一种平面超导纳米桥结的制备方法
本发明涉及一种平面超导纳米桥结的制备方法，在衬底表面进行光刻形成图案，然后沉积金属薄膜；利用离子束刻蚀金属，金属因反溅射现象沿着光刻胶形成侧壁，去胶，即得纳米桥，桥的宽度即为反溅射的金属薄膜厚度，因此可以超越光刻极限；沉...
应利良张雪任洁王镇
文献传递
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