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李睿

作品数：33 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 25篇鳍片
  • 21篇沟道
  • 19篇短沟道
  • 19篇短沟道效应
  • 19篇沟道效应
  • 18篇源区
  • 16篇叠层
  • 15篇栅极
  • 14篇FIN
  • 12篇衬底
  • 11篇隔离区
  • 8篇侧墙
  • 7篇FINFET
  • 6篇穿通
  • 4篇淀积
  • 4篇栅极结构
  • 4篇空位
  • 3篇载流子
  • 3篇晶体管
  • 2篇氧化层

机构

  • 33篇中国科学院微...

作者

  • 33篇尹海洲
  • 33篇李睿
  • 30篇刘云飞

年份

  • 4篇2019
  • 9篇2018
  • 1篇2017
  • 14篇2016
  • 5篇2015
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种非对称FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种非对称FinFET结构，包括：衬底(100)，所述衬底上具有鳍片(200)；位于所述鳍片(200)中部上方的栅极介质层(510)；位于所述栅极介质层上方的栅极叠层(240)；位于所述栅极叠层(240)两侧...
刘云飞尹海洲李睿
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底(100)；第一鳍片，所述第一鳍片包括第一沟道区(210)和位于第一沟道区上方的源区(211)，其中所述源区比所述第一沟道区更宽；第二鳍片，所述第二鳍片与第一鳍片平...
刘云飞尹海洲李睿
一种MOSFET结构及其制造方法
本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底、源漏区、伪栅叠层、层间介质层和侧墙；b.去除伪栅叠层形成伪栅空位，并在伪栅空位中的衬底上形成氧化层；c.在所述半导体结构漏端一侧覆盖光刻胶，露出伪栅空位中靠近源端...
李睿尹海洲刘云飞
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底上方，彼此平行；栅极叠层，覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，位于所述第一鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域...
尹海洲刘云飞李睿
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一种FinFET制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：一种FinFET制造方法，包括：a.提供第一衬底(100)；b.在所述衬底上形成穿通阻挡层(120)；c.在所述衬底(100)上形成第二衬底(130)；d.对所述第一衬底(10...
刘云飞李睿尹海洲
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底上方，彼此平行；栅极叠层，覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，位于所述第一鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域...
尹海洲刘云飞李睿
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一、第二鳍片，位于所述衬底上方，彼此平行；器件隔离区，所述器件隔离区包围所述衬底，与所述第一、第二鳍片平齐；栅极叠层，所述栅极叠层覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍...
刘云飞尹海洲李睿
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片，所述第一鳍片包括第一沟道区和位于第一沟道区上方的源区，其中所述源区比所述第一沟道区宽；第二鳍片，所述第二鳍片与第一鳍片平行，包括第二沟道区和位于第二沟道...
李睿刘云飞尹海洲
一种FinFET制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：一种FinFET制造方法，包括：a.提供第一衬底(100)；b.在所述衬底上形成穿通阻挡层(120)；c.在所述衬底(100)上形成第二衬底(130)；d.对所述第一衬底(10...
刘云飞李睿尹海洲
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底上方，彼此平行；栅极叠层，所述栅极叠层覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，所述源区位于所述第一鳍片未被...
刘云飞尹海洲李睿
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