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尹海洲

作品数：522 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 518篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 72篇电子电信
  • 2篇经济管理
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 372篇半导体
  • 198篇半导体器件
  • 161篇沟道
  • 153篇导体
  • 144篇半导体结构
  • 134篇栅极
  • 91篇鳍片
  • 88篇衬底
  • 74篇介质层
  • 71篇堆叠
  • 71篇晶体管
  • 70篇沟道效应
  • 58篇刻蚀
  • 56篇侧墙
  • 55篇掺杂
  • 50篇电阻
  • 44篇金属栅
  • 40篇应力
  • 39篇源区
  • 38篇叠层

机构

  • 522篇中国科学院微...

作者

  • 522篇尹海洲
  • 353篇朱慧珑
  • 294篇骆志炯
  • 102篇梁擎擎
  • 52篇刘云飞
  • 33篇秦长亮
  • 33篇李睿
  • 32篇钟汇才
  • 30篇张珂珂
  • 28篇殷华湘
  • 27篇许淼
  • 21篇蒋葳
  • 18篇赵超
  • 11篇李俊峰
  • 11篇王桂磊
  • 11篇洪培真
  • 9篇于伟泽
  • 8篇罗军
  • 4篇许静
  • 4篇赵治国

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 7篇2019
  • 25篇2018
  • 28篇2017
  • 58篇2016
  • 69篇2015
  • 90篇2014
  • 94篇2013
  • 98篇2012
  • 47篇2011
  • 3篇2010
共 522 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
晶体管
本实用新型涉及一种晶体管。根据本实用新型的晶体管，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含...
尹海洲骆志炯朱慧珑
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括衬底、衬底上的栅极侧墙、衬底中的源漏区、以及栅极堆叠，其中，栅极堆叠包括栅极侧墙内侧衬底上的第一部分，以及在衬底中源漏区之间的沟道区内的第二部分。依照本发明的半导体器件及其制造...
秦长亮尹海洲李俊峰赵超
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半导体结构及其制造方法
本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底上形成应力层，埋氧层，SOI层；在应力层中形成位于特定位置的应力层掺杂区；在SOI层上形成氧化物层和氮化物层，并刻蚀氮化物层、氧化物层、SOI层和埋氧层，...
朱慧珑骆志炯尹海洲梁擎擎
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半导体结构及其制造方法
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体衬底；局部互连结构，与所述半导体衬底连接；通孔叠层结构，与所述局部互连结构电连接；其中，所述通孔叠层结构包括：过孔，所述过孔包括上过孔和下过孔，所述上过孔的...
朱慧珑尹海洲骆志炯
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底上方，彼此平行；栅极叠层，覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，位于所述第一鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域...
尹海洲刘云飞李睿
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆叠、侧墙和帽层，所述...
尹海洲骆志炯朱慧珑
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一种FinFET及其制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底、鳍片、沟道保护层、源漏区、浅沟槽隔离结构、层间介质层、伪栅叠层和侧墙，所述沟道保护层位于鳍片顶部；b.去除所述伪栅叠层，形成伪栅空位，露出位于鳍片中部的沟道以及沟...
尹海洲刘云飞
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半导体结构及其制作方法
本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层上设置第一电介质材料层，并在该第一电介质材料层中限定开口；在第一半导体层上，经由第一电介质材料层中限定的开口，外延生长第二半导体层，其中...
骆志炯尹海洲朱慧珑
形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法
本发明提出一种形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅介质层，形成在所述栅介质层之上的栅极，以及形成在所述衬底之中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；形成在所述栅介质层和所述栅极...
骆志炯朱慧珑尹海洲
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一种FINFET制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，包括以下步骤：a.提供衬底；b.在所述衬底上形成鳍片；c.在所述半导体结构上形成浅沟槽隔离结构；d.在所述浅沟槽隔离结构表面形成伪栅叠层，所述伪栅叠层与鳍片相交；e.对所述半导体结构...
刘云飞尹海洲张珂珂
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