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肖倩倩

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 12篇氧化层
  • 12篇栅氧化
  • 12篇栅氧化层
  • 12篇曲率
  • 12篇接触区
  • 12篇结终端
  • 6篇多窗口
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇终端结构
  • 6篇功率器件
  • 1篇电路
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇集成电路
  • 1篇高压器件
  • 1篇横向高压器件
  • 1篇SOI器件

机构

  • 13篇电子科技大学

作者

  • 13篇肖倩倩
  • 12篇乔明
  • 12篇张波
  • 6篇余洋
  • 6篇于亮亮
  • 6篇李成州

年份

  • 6篇2019
  • 2篇2017
  • 5篇2016
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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一种超薄SOI横向高压器件的研究与设计
SOI(Silicone On Insulator)即绝缘体上的硅具有漏电小、速度快、功耗低的优点，是集成电路的重要发展方向。但是，SOI高压器件在高压方面的应用仍然受着器件纵向耐压的限制，并且在探索高耐压的同时往往会使...
肖倩倩
关键词：SOI器件集成电路芯片设计
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P<Sup>+...
乔明肖倩倩余洋詹珍雅张波
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横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P<Sup>+...
乔明肖倩倩余洋詹珍雅张波
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横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
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横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P<Sup>+...
乔明肖倩倩余洋詹珍雅张波
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
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横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
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横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P<Sup>+...
乔明肖倩倩余洋詹珍雅张波
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