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曹永革

作品数：57 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
相关领域：化学工程医药卫生理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 33篇陶瓷
  • 23篇透明陶瓷
  • 13篇白光
  • 10篇光效
  • 10篇封装
  • 9篇白光LED
  • 9篇掺杂
  • 7篇透明导电
  • 7篇粉体
  • 6篇荧光
  • 6篇荧光材料
  • 6篇透明导电膜
  • 6篇结晶度
  • 5篇等静压
  • 5篇等静压成型
  • 5篇基板
  • 4篇多晶
  • 4篇氧化锌
  • 4篇引线
  • 4篇引线框

机构

  • 57篇中国科学院福...

作者

  • 57篇曹永革
  • 30篇郭旺
  • 26篇邓种华
  • 26篇黄秋凤
  • 21篇刘著光
  • 15篇陈剑
  • 12篇唐飞
  • 12篇陈东川
  • 12篇费斌杰
  • 12篇兰海
  • 10篇黄志
  • 10篇黄常刚
  • 10篇王文超
  • 9篇刘媛
  • 8篇王美丽
  • 8篇王充
  • 6篇李军庭
  • 4篇李军廷
  • 4篇黄集权
  • 4篇王方宇

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 6篇2014
  • 14篇2013
  • 13篇2012
  • 13篇2011
  • 3篇2010
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可见光全光谱高反射率LED封装结构
本发明涉及一种利用可见光全光谱高反射的非金属或金属化合物或有机物材料提高白光LED光效与显色指数同时降低光衰的LED封装基座与封装结构。其中可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm，高反射率材料在可见光光谱的反射率...
曹永革刘著光邓种华王充兰海王方宇王文超
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一种铟掺杂氧化锌靶材及透明导电膜的制备方法
本发明涉及一种铟掺杂氧化锌溅射靶材及其透明导电膜的制备方法。该法采用液相法或固相法制备铟掺杂氧化锌粉体，经冷等静压成型、真空烧结和气氛退火得到高纯铟掺杂氧化锌陶瓷靶材，并使用该靶材经溅射法制备透明导电膜。其中氧化铟的质量...
曹永革黄常刚邓种华王美丽
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一种带凹面镜形封装基座的LED芯片封装结构
本技术涉及一种带凹面镜形封装基座的LED芯片封装结构，其中凹面镜形封装基座上表面的凹面镜用以反射LED芯片侧面及背面发出的光，使之成为平行光并由正面射出。所述封装结构包括：一高反射率凹面镜形封装基座，该封装基座的上表面为...
曹永革刘著光邓种华
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利用不同成型方式制备Re:YAG多晶透明陶瓷的方法
本发明涉及利用不同成型方式制备Re:YAG多晶透明陶瓷的方法，采用市售的高纯Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Re<Sub>2</Sub>O<S...
郭旺曹永革黄秋凤黄志刘媛
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利用掺杂稀土元素的透明陶瓷为基座的LED封装结构
本发明涉及一种利用稀土掺杂的透明陶瓷作为LED封装基座的双面发射白光的LED封装结构。该LED封装，其特征在于，LED芯片（20），通过固晶方式安装在稀土掺杂的透明陶瓷基座（10）表面上并与图案化电极（501与502）电...
曹永革刘著光黄秋凤邓种华王充兰海王方宇王文超
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一种通过喷雾造粒改性粉体制备稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的方法
本发明涉及一种通过喷雾造粒改性粉体制备稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的方法，其特征在于采用醇-水体系为溶剂，通过共沉淀方法制备出稀土掺杂Re:YAG粉体，再采用喷雾造粒工艺对粉体进行改性，再通过干压与冷等静压相结合的方式成型...
刘媛曹永革郭旺黄秋凤黄志
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一种稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法
本发明涉及一种稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法。采用纯度在99.99％以上的商品粉Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Re<Sub>2</Su...
曹永革黄秋凤郭旺刘媛黄志
亚纳米级钒酸钇粉体的制备方法
本发明提供了亚纳米级钒酸钇粉体的制备方法。配制含钇无机酸盐溶液，加入偏钒酸铵及一定量高纯水，充分搅拌；用碱液调节pH值成为橙黄色胶状悬浮液后转移至水浴锅中预加热；收集、水洗、醇洗、离心分离出前驱体；干燥后分别在300-6...
曹永革费斌杰郭旺黄秋凤王文超唐飞
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一种可见光全光谱高反射率LED封装结构
本实用新型涉及一种利用可见光全光谱高反射的非金属或金属化合物或有机物材料提高白光LED光效与显色指数同时降低光衰的LED封装基座与封装结构。其中可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm，高反射率材料在可见光光谱的反...
曹永革刘著光邓种华王充兰海王方宇王文超
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GaN基LED外延结构及其制造方法
本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re<Sub>3</Su...
曹永革刘著光邓种华陈剑李军廷费斌杰郭旺唐飞黄秋凤袁轩一
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