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陆芹

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 8篇元件
  • 8篇储能
  • 8篇储能元件
  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 5篇合金
  • 4篇导电
  • 4篇电极
  • 4篇电解质溶液
  • 4篇铜镍合金
  • 4篇镍合金
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇氢氧化
  • 4篇离子输运
  • 4篇环形电极
  • 4篇二极管
  • 4篇复合电极
  • 4篇RTD
  • 4篇SUB
  • 2篇导电剂

机构

  • 14篇西安电子科技...

作者

  • 14篇陆芹
  • 13篇张进成
  • 13篇郝跃
  • 9篇王东
  • 9篇宁静
  • 4篇杨林安
  • 4篇薛军帅
  • 4篇于婷
  • 4篇林志宇
  • 4篇黄金金

年份

  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2016
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器及制备方法
本发明公开了一种基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器及制备方法。本发明的基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器包括正极，负极，电解质溶液和隔膜...
陆芹宁静王东张进成穆美珊郝跃
文献传递
铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法
本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n<Sup>+</Sup>GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
基于三维石墨烯/氢氧化镍复合电极材料的制备方法
本发明公开了一种基于三维石墨烯/氢氧化镍复合电极材料的制备方法。本发明首先采用化学气相沉积法在三维铜镍合金上生长石墨烯，然后利用氯化铁和盐酸的混合溶液去除合金衬底，最后，将三维石墨烯浸入氯化镍和尿素的混合溶液中，在三维石...
王东宁静张进成陆芹穆美珊郝跃
文献传递
二维半导体及其电光特性研究
二维半导体材料，如石墨烯、过渡族金属硫化物、黑磷、氮化硼等，由于其独特的电学以及光学特性，被广泛地应用于集成光电子领域。在这些二维半导体材料中，直接带隙半导体黑磷填补了石墨烯和过渡族金属硫化物的带隙空白，并表现出各向异性...
陆芹
关键词：光子晶体电光特性
基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器及制备方法
本发明公开了一种基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器及制备方法。本发明的基于3DSG/Ni(OH)<Sub>2</Sub>/3DMG非对称超级电容器包括正极，负极，电解质溶液和隔膜...
陆芹宁静王东张进成穆美珊郝跃
文献传递
基于3DSG/Mn<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>/3DMG非对称超级电容器及制备方法
本发明公开了一种基于3DSG/Mn<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>/3DMG非对称超级电容器及制备方法。本发明的基于3DSG/Mn<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>/3DMG非对称超级电...
宁静冯欣王东张进成陆芹穆美珊郝跃
文献传递
基于三维石墨烯/氢氧化镍复合电极材料的制备方法
本发明公开了一种基于三维石墨烯/氢氧化镍复合电极材料的制备方法。本发明首先采用化学气相沉积法在三维铜镍合金上生长石墨烯，然后利用氯化铁和盐酸的混合溶液去除合金衬底，最后，将三维石墨烯浸入氯化镍和尿素的混合溶液中，在三维石...
王东宁静张进成陆芹穆美珊郝跃
文献传递
超三维石墨烯的制备方法
本发明公开了一种基于合金电化学和化学气相沉积相结合制备超三维石墨烯的方法，主要解决目前制备的三维石墨烯的孔的层次单一，比表面积较低，制备过程较为复杂的问题。其制备过程是：首先，采用电化学沉积法在商用三维泡沫金属上沉积另一...
宁静王东张进成陆芹穆美珊郝跃
文献传递
基于三维石墨烯/四氧化三锰复合电极材料的制备方法
本发明公开了一种基于三维石墨烯/四氧化三锰复合电极材料的制备方法。本发明首先采用化学气相沉积法在三维泡沫铜镍合金生上长石墨烯；然后去除铜镍合金，制备得到具有多通道孔的自支撑的三维石墨烯；最后，将三维石墨烯浸入高锰酸钾和硝...
宁静王东张进成陆芹穆美珊郝跃
文献传递
渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺
本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n<Sup>十</Sup>GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
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