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黄金金

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇二极管
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇环形电极
  • 4篇RTD
  • 2篇铟镓氮
  • 2篇发射极
  • 2篇峰值电流
  • 2篇INGAN
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结界面
  • 1篇隧穿
  • 1篇结构优化
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇N

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇黄金金
  • 4篇张进成
  • 4篇杨林安
  • 4篇薛军帅
  • 4篇于婷
  • 4篇林志宇
  • 4篇郝跃
  • 4篇陆芹

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法
本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n<Sup>+</Sup>GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
N面AlGaN/GaN共振隧穿二极管结构优化
太赫兹技术是一种新兴科学技术，因其在医学、检测、通信、雷达等领域的应用而受到广泛关注。在众多太赫兹源中，共振隧穿二极管因其高频高速的特性成为太赫兹领域的研究热点，其中研究最多、应用最广泛的主要是基于Si、GaAs材料，其...
黄金金
关键词：异质结界面
渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺
本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n<Sup>十</Sup>GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法
本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n<Sup>+</Sup>GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
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渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺
本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n<Sup>十</Sup>GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In...
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