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高建峰

作品数：124 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 121篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 34篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 7篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇农业科学
  • 1篇理学

主题

  • 35篇刻蚀
  • 31篇半导体
  • 22篇半导体器件
  • 20篇纳米
  • 17篇沟道
  • 17篇存储器
  • 14篇牺牲层
  • 13篇电极
  • 13篇金属栅
  • 13篇衬底
  • 12篇叠层
  • 12篇热电堆
  • 12篇金属
  • 11篇侧墙
  • 10篇互连
  • 9篇电子设备
  • 9篇红外
  • 8篇栅极
  • 8篇纳米线
  • 7篇电路

机构

  • 124篇中国科学院微...
  • 2篇贵州大学
  • 1篇潍坊学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 124篇高建峰
  • 109篇李俊峰
  • 85篇李俊杰
  • 77篇杨涛
  • 56篇王文武
  • 51篇罗军
  • 35篇刘卫兵
  • 23篇赵超
  • 15篇贺晓彬
  • 14篇毛海央
  • 14篇李永亮
  • 12篇殷华湘
  • 12篇王桂磊
  • 11篇项金娟
  • 8篇陈大鹏
  • 7篇刘金彪
  • 7篇白国斌
  • 5篇许静
  • 4篇许高博
  • 4篇唐兆云

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 6篇2025
  • 16篇2024
  • 32篇2023
  • 9篇2022
  • 17篇2021
  • 22篇2020
  • 10篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2014
共 124 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件
本发明提出了一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上，形成后栅凹槽；在后栅凹槽上形成界面氧化层；在界面氧化层上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层...
项金娟王晓磊高建峰 李亭亭李俊峰赵超王文武
一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法，包括以下步骤：在提供的衬底上交替生长牺牲层和沟道层，将沟道层和牺牲层刻蚀成多个周期分布的鳍片，并在相邻两个鳍片之间形成浅槽隔离区；在露出的鳍片表面形成...
高建峰刘卫兵 杨帅 周娜李俊杰杨涛李俊峰罗军
热电堆及其制作方法
一种热电堆及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用博世刻蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行第一步刻蚀释放；采用反应离子刻蚀，进行...
周娜李俊杰毛海央高建峰杨涛李俊峰王文武
一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备
本发明公开一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备，涉及非易失性存储器件技术领域，以便于存储器件与CMOS后段工艺兼容，提高存储器件性能。所述存储器件包括形成在衬底上的阻变元件。阻变元件包括底电极，顶电极，以及位于底电...
高建峰刘卫兵项金娟杨涛李俊峰王文武
浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构
本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，其中化学机械平坦化的方法包括：形成衬底，衬底内具有浅沟槽，且衬底表面具有研磨停止层，浅沟槽贯穿研磨停止层；沉积绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，绝缘介质层的...
杨涛张月贺晓彬高建峰李俊杰韦亚一戴博伟李俊峰王文武
正方形氧化硅纳米孔的制备方法
本发明提供了一种正方形氧化硅纳米孔的制备方法，包括S1，提供一衬底晶圆，在衬底晶圆的表面形成SiO<Sub>2</Sub>介质层；S2，在SiO<Sub>2</Sub>介质层表面依次旋涂SOC和SiBarc，分别形成SO...
高建峰刘卫兵周娜李俊杰杨涛贺晓彬李俊峰罗军
一种氧化钒薄膜的制备方法
本发明提出了一种氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上方沉积介质层；对所述衬底进行预热；采用磁控溅射法，在所述介质层上形成氧化钒薄膜种子层，形成所述氧化钒薄膜种子层的工艺条件如下：射频溅射功率为5...
高建峰李俊峰刘卫兵赵超王文武
一种电阻随机存储器及其制备方法
本发明提供了一种电阻随机存储器的制备方法，提供衬底；在衬底上形成电极过孔，至少部分电极过孔为底电极；沉积介质层，并在所述介质层中、电极过孔之上形成大马士革通孔；在底电极之上的通孔内依次形成阻变材料层及顶电极。利用本发明的...
高建峰赵超李俊峰
半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；在开口中填充顶层金属层，顶层金属层具有压应力；对PMOS器件区域的顶层金属层，进行非晶化注入。本发明有利于提高NMOS器件的...
王桂磊刘金彪高建峰李俊峰赵超
一种改善钨金属栅均匀性的方法及晶体管的制备方法
本发明涉及一种改善钨金属栅均匀性的方法及晶体管的制备方法，以获得厚度更加一致的钨金属栅结构，提高器件的电学稳定性。一种改善钨金属栅均匀性的方法，其包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面设有绝缘层，所述绝缘层内...
杨涛刘浩琦张月卢一泓高建峰李俊峰罗军
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