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高建峰

作品数：107 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 104篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 25篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇农业科学

主题

  • 31篇刻蚀
  • 28篇半导体
  • 20篇半导体器件
  • 17篇纳米
  • 15篇存储器
  • 13篇衬底
  • 12篇叠层
  • 12篇沟道
  • 11篇牺牲层
  • 11篇金属
  • 10篇电极
  • 10篇电子设备
  • 10篇热电堆
  • 10篇金属栅
  • 10篇互连
  • 8篇纳米线
  • 8篇红外
  • 7篇电阻
  • 7篇图形化
  • 7篇平坦化

机构

  • 107篇中国科学院微...
  • 2篇贵州大学
  • 1篇潍坊学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 107篇高建峰
  • 93篇李俊峰
  • 71篇李俊杰
  • 63篇杨涛
  • 53篇王文武
  • 39篇罗军
  • 30篇刘卫兵
  • 23篇赵超
  • 14篇李永亮
  • 13篇贺晓彬
  • 12篇殷华湘
  • 12篇王桂磊
  • 11篇项金娟
  • 10篇毛海央
  • 7篇白国斌
  • 6篇刘金彪
  • 5篇许静
  • 5篇陈大鹏
  • 4篇唐兆云
  • 4篇傅剑宇

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 5篇2024
  • 32篇2023
  • 9篇2022
  • 17篇2021
  • 22篇2020
  • 10篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2014
共 107 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氧化钒薄膜的制备方法
本发明提出了一种氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上方沉积介质层；对所述衬底进行预热；采用磁控溅射法，在所述介质层上形成氧化钒薄膜种子层，形成所述氧化钒薄膜种子层的工艺条件如下：射频溅射功率为5...
高建峰李俊峰刘卫兵赵超王文武
文献传递
一种电阻随机存储器及其制备方法
本发明提供了一种电阻随机存储器的制备方法，提供衬底；在衬底上形成电极过孔，至少部分电极过孔为底电极；沉积介质层，并在所述介质层中、电极过孔之上形成大马士革通孔；在底电极之上的通孔内依次形成阻变材料层及顶电极。利用本发明的...
高建峰赵超李俊峰
半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；在开口中填充顶层金属层，顶层金属层具有压应力；对PMOS器件区域的顶层金属层，进行非晶化注入。本发明有利于提高NMOS器件的...
王桂磊刘金彪高建峰李俊峰赵超
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，可以在衬底上沉积形成牺牲层，利用Bosch工艺对牺牲层进行刻蚀形成电容孔，电容孔的侧壁在纵向上呈凹凸交替变化，在电容孔内依次形成底电极层、介质层和顶电极层，由于Bosch工艺...
高建峰李俊杰周娜刘卫兵杨涛李俊峰
文献传递
集成电路设备和半导体器件的制备方法
本发明提供一种集成电路设备和半导体器件的制备方法，集成电路设备包括：机体、第一真空泵、第一机械手、第一隔离门和多个加工机构；机体包括机壳、装卸腔室、传输腔室和多个真空腔室，多个真空腔室内均设置有加工机构，加工机构与机壳连...
李俊杰刘恩序周娜高建峰李俊峰李永亮罗军王文武
位线两侧气隙及半导体结构的制造方法
本申请涉及半导体制造领域，具体公开了一种位线两侧气隙及半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成多条位线；在每条位线的两侧形成上部开口的气隙；采用物理气相沉积工艺形成盖帽层，以封闭所述上部开口。本申请采用台阶...
高建峰刘卫兵杨涛李俊峰
文献传递
高吸收热电堆及其制作方法
一种高吸收热电堆及其制作方法，所述热电堆包括红外吸收层；其中，所述红外吸收层包括旋涂碳材质。本发明首次将旋涂碳材质应用到热电堆作为红外吸收层材料，利用该旋涂碳材质增强红外吸收层的吸光效果，提高热电堆的红外吸收性能。
周娜毛海央李俊杰高建峰杨涛李俊峰王文武陈大鹏
一种半导体结构的制备方法及半导体结构
本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法通过在第二硅衬底上依次生长高低温Ge层、GeSi反向渐变缓冲层和完全弛豫的GeSi应变弛豫层之后，将第二硅衬底上的GeSi应变弛豫层键合在第一硅衬底...
孔真真张毅文刘靖雄任宇辉王桂磊李俊峰高建峰周娜罗军
一种STT-MRAM存储器单元及其制备方法
本发明公开了一种STT‑MRAM存储器单元及其制备方法，属于微电子制造技术领域，解决现有技术中磁性隧道结TMR(隧穿磁阻)低、MTJ刻蚀过程对STT‑MRAM的TMR性能影响大的问题。本发明的STT‑MRAM存储器单元，...
高建峰刘卫兵李俊杰李俊峰王文武
文献传递
一种三维垂直结构存储器结构及其制备方法
本发明涉及一种三维垂直结构存储器结构及其制备方法。其包括依次堆叠的：半导体衬底、第一隔离层、第一和第二层晶体管；第一层晶体管包括堆叠的第一源极层、第二隔离层、第一漏极层和第三隔离层，以及依次贯穿至第一源极层的第一通孔，第...
高建峰刘卫兵李俊杰周娜杨涛李俊峰罗军
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