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訾慧

作品数:8 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇发光
  • 8篇辐射发光
  • 8篇超辐射
  • 6篇光谱
  • 6篇二极管
  • 6篇发光二极管
  • 6篇超辐射发光二...
  • 4篇低抖动
  • 4篇宽光谱
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇晶向
  • 3篇波导
  • 2篇亚波长
  • 2篇源区
  • 2篇谱特性
  • 2篇解离
  • 2篇回路
  • 2篇脊波导
  • 2篇光场

机构

  • 8篇中国科学院福...

作者

  • 8篇苏辉
  • 8篇林中晞
  • 8篇薛正群
  • 8篇王凌华
  • 8篇訾慧
  • 7篇陈阳华
  • 7篇林琦
  • 4篇周东豪
  • 2篇徐玉兰
  • 2篇陈景源
  • 2篇林乐

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本实用新型涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本实用新型利用侧边吸收区所...
周东豪林琦林中晞苏辉薛正群陈阳华王凌华訾慧徐玉兰陈景源林乐
文献传递
一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管
本发明涉及一种超辐射发光二极管的制作方法,包括以下步骤:一次外延片的生长步骤、形成脊的步骤、掩埋的步骤、形成P面电极金属的步骤、形成N面电极金属的步骤、解离的步骤,从而制得超辐射发光二极管。本发明还提出一种由所述制作方法...
薛正群苏辉周东豪訾慧王凌华林琦林中晞陈阳华
文献传递
一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法
本发明涉及一种量子点超辐射发光二极管的制作方法,该方法包括以下步骤:一次外延生长步骤:采用MBE生长一次外延结构,其结构沿晶向依次包括N<Sup>+</Sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlG...
訾慧薛正群苏辉王凌华林琦林中晞陈阳华
文献传递
1550nm宽光谱超辐射发光二极管的研制被引量:3
2018年
超辐射发光二极管因其宽光谱低抖动的光谱特点以及输出光为非相干光的特性,在光学相干层析成像技术、光处理技术等领域具有重要应用。为获得宽光谱低抖动的超辐射输出光,设计并制备了一种1 550 nm AlGaInAs多量子阱超辐射发光二极管。采取倾斜12°波导并增加隔离区,结合抗反射薄膜,最终实现宽光谱输出的超辐射发光二极管,并比较了有无隔离区对器件性能的影响。实验结果表明,制得的超辐射发光二极管3 dB光谱宽度可拓宽至83 nm,光谱纹波小于0.1 dB,在200 mA工作电流下,出光功率大于1.5 mW。
訾慧薛正群王凌华林中晞苏辉
关键词:超辐射发光二极管隔离区
一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本发明涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明利用侧边吸收区所具有的光...
周东豪林琦林中晞苏辉薛正群陈阳华王凌华訾慧徐玉兰陈景源林乐
文献传递
一种量子点超辐射发光二极管
本实用新型涉及一种量子点超辐射发光二极管,包括:一次外延结构和掩埋异质结结构,一次外延结构包括:沿晶向依次设置的N<Sup>+</Sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAs覆盖层(3)、A...
訾慧薛正群苏辉王凌华林琦林中晞陈阳华
文献传递
一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管
本发明涉及一种超辐射发光二极管的制作方法,包括以下步骤:一次外延片的生长步骤、形成脊的步骤、掩埋的步骤、形成P面电极金属的步骤、形成N面电极金属的步骤、解离的步骤,从而制得超辐射发光二极管。本发明还提出一种由所述制作方法...
苏辉薛正群周东豪訾慧王凌华林琦林中晞陈阳华
一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法
本发明涉及一种量子点超辐射发光二极管的制作方法,该方法包括以下步骤:一次外延生长步骤:采用MBE生长一次外延结构,其结构沿晶向依次包括N<Sup>+</Sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlG...
訾慧薛正群苏辉王凌华林琦林中晞陈阳华
文献传递
共1页<1>
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