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吴永进

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇多孔硅
  • 2篇图形化
  • 2篇硅片
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体制造
  • 1篇氧化石墨
  • 1篇氧化石墨烯
  • 1篇氧化物
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇图形尺寸
  • 1篇氢氧化
  • 1篇氢氧化物
  • 1篇去除工艺
  • 1篇牺牲层
  • 1篇滤膜
  • 1篇金属
  • 1篇金属氢
  • 1篇金属氢氧化物
  • 1篇刻蚀

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇张珽
  • 3篇吴永进
  • 2篇刘瑞
  • 2篇李连辉
  • 1篇李光辉
  • 1篇刘林

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
图形化多孔硅的制备方法
本发明属于半导体制造技术领域，尤其公开了一种图形化多孔硅的制备方法，包括：在硅片的表面形成若干金属掩膜；刻蚀具有金属掩膜的硅片，以使硅片的暴露区与所述金属掩膜共销蚀，在硅片的暴露区形成若干孔，得到图形化多孔硅。本发明通过...
张珽吴永进罗祎李连辉刘瑞
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制备氧化石墨烯薄膜和柔性非接触式电容传感器的方法
本发明提供一种制备氧化石墨烯薄膜的方法和一种利用该方法制备的氧化石墨烯薄膜作为介电层来制备柔性非接触式电容传感器的方法。制备氧化石墨烯薄膜的方法包括以下步骤：准备滤膜；制备其中均匀地分散有金属氢氧化物纳米材料的水溶液；在...
张珽刘林李光辉吴永进
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图形化多孔硅的制备方法
本发明属于半导体制造技术领域，尤其公开了一种图形化多孔硅的制备方法，包括：在硅片的表面形成若干金属掩膜；刻蚀具有金属掩膜的硅片，以使硅片的暴露区与所述金属掩膜共销蚀，在硅片的暴露区形成若干孔，得到图形化多孔硅。本发明通过...
张珽吴永进罗祎李连辉刘瑞
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