- 一种薄膜LED芯片结构
- 本发明公开了一种薄膜LED芯片结构,该芯片结构包括:基板底面金属层、键合基板、键合及光反射金属层、绝缘介质层、下电极、下掺杂层、非掺杂发光层、上掺杂层、粗化面、上欧姆接触层、上电极,特征是:上电极与下电极呈交错排列,上掺...
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- 一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料,自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱...
- 李树强江风益刘军林王光绪陈芳郭醒
- 五基色LED照明光源技术进展被引量:13
- 2017年
- 现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED(红、黄、绿、青、蓝光)可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼安全与舒适的全光谱无荧光粉白光光源,是下一代高品质光源。其难点在于获得高光效黄光LED。目前我们在黄光LED光效提升方面取得重大突破,获得了电光转换功率效率高达21.5%的硅衬底InGaN基黄光LED(565nm,20A/cm^2),对应130 lm/W,远好于文献报道和可查询到的最高水平。基于红、黄、绿、青、蓝五色LED芯片合成的白光灯珠,显色指数94.8,色温3 263K,光效100.5 lm/W,达到了实用化水平。无荧光粉五基色LED照明技术省去了稀土这一稀缺资源,具有现实价值和战略意义,同时在可见光通信、情景照明、智能照明方面有优势。
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- 关键词:LED照明
- 一种薄膜LED芯片结构
- 本发明公开了一种薄膜LED芯片结构,该芯片结构包括:基板底面金属层、键合基板、键合及光反射金属层、绝缘介质层、下电极、下掺杂层、非掺杂发光层、上掺杂层、粗化面、上欧姆接触层、上电极,特征是:上电极与下电极呈交错排列,上掺...
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- 一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构
- 本实用新型公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构,该薄膜芯片包括:P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层...
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- 文献传递
- 一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法
- 本发明公开了一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法,包括以下步骤:首先利用常规的MOCVD制备AlGaInP LED外延材料,然后利用金属蒸发、光刻、腐蚀、键合、合金这些常规的管芯制备工艺将外延材料转移到键合基...
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- 文献传递
- 一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法
- 本发明公开了一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法,包括以下步骤:外延材料清洗、生长绝缘介质层、光刻P面电极孔、蒸发P面电极、光刻P面电极、蒸发光反射金属层、蒸发键合金属层、晶片键合、蒸发N面电极、光刻N面电极、电...
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- 文献传递
- 一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法
- 本发明公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法,该发光二极管芯片包括:具有正反面的键合基板;从键合基板正面往上依次为:基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层;从P面反射...
- 李树强陈芳郭醒吴小明王光绪刘军林江风益
- 文献传递
- 一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法
- 本发明公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法,该薄膜芯片包括:P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N...
- 李树强江风益
- 文献传递
- 一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料,自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱...
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