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2024年8月18日星期日

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一种薄膜LED芯片结构: 本发明公开了一种薄膜LED芯片结构，该芯片结构包括：基板底面金属层、键合基板、键合及光反射金属层、绝缘介质层、下电极、下掺杂层、非掺杂发光层、上掺杂层、粗化面、上欧姆接触层、上电极，特征是：上电极与下电极呈交错排列，上掺...; 李树强陈芳施维王光绪江风益

一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料及其制备方法: 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱...; 李树强江风益刘军林王光绪陈芳郭醒

五基色LED照明光源技术进展被引量：13: 2017年; 现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED(红、黄、绿、青、蓝光)可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼安全与舒适的全光谱无荧光粉白光光源,是下一代高品质光源。其难点在于获得高光效黄光LED。目前我们在黄光LED光效提升方面取得重大突破,获得了电光转换功率效率高达21.5%的硅衬底InGaN基黄光LED(565nm,20A/cm^2),对应130 lm/W,远好于文献报道和可查询到的最高水平。基于红、黄、绿、青、蓝五色LED芯片合成的白光灯珠,显色指数94.8,色温3 263K,光效100.5 lm/W,达到了实用化水平。无荧光粉五基色LED照明技术省去了稀土这一稀缺资源,具有现实价值和战略意义,同时在可见光通信、情景照明、智能照明方面有优势。; 刘军林莫春兰张建立王光绪徐龙权丁杰李树强王小兰吴小明潘拴方芳全知觉郑畅达郭醒陈芳江风益; 关键词：LED照明

一种薄膜LED芯片结构: 本发明公开了一种薄膜LED芯片结构，该芯片结构包括：基板底面金属层、键合基板、键合及光反射金属层、绝缘介质层、下电极、下掺杂层、非掺杂发光层、上掺杂层、粗化面、上欧姆接触层、上电极，特征是：上电极与下电极呈交错排列，上掺...; 李树强陈芳施维王光绪江风益

一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构: 本实用新型公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，该薄膜芯片包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层...; 李树强江风益; 文献传递

一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法: 本发明公开了一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，包括以下步骤：首先利用常规的MOCVD制备AlGaInP LED外延材料，然后利用金属蒸发、光刻、腐蚀、键合、合金这些常规的管芯制备工艺将外延材料转移到键合基...; 李树强陈芳施维王光绪江风益; 文献传递

一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法: 本发明公开了一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法，包括以下步骤：外延材料清洗、生长绝缘介质层、光刻P面电极孔、蒸发P面电极、光刻P面电极、蒸发光反射金属层、蒸发键合金属层、晶片键合、蒸发N面电极、光刻N面电极、电...; 李树强陈芳施维王光绪江风益; 文献传递

一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法: 本发明公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射...; 李树强陈芳郭醒吴小明王光绪刘军林江风益; 文献传递

一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法: 本发明公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法，该薄膜芯片包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N...; 李树强江风益; 文献传递

一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料及其制备方法: 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱...; 李树强江风益刘军林王光绪陈芳郭醒; 文献传递

李树强