冯玉萍
- 作品数：16 被引量：21H指数：4
- 供职机构：信息产业部更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程经济管理自动化与计算机技术更多>>
- 电子封装最新工艺技术
- 2001年
- 于凌宇冯玉萍
- 关键词：电子封装工艺技术电子器件CSP封装
- 世界三大集成元件新产品工艺技术研发动态
- 2002年
- 论述集成无源元件的重要作用,简介集成电阻器、集成电容器、集成电感器技术。系统探讨了多层金属化工艺、主要衬底材料、工艺集成规则、集成无源模块组装工艺、设计方法及设计实例等关键工艺技术。
- 于凌宇冯玉萍
- 关键词：集成元件工艺技术集成技术电阻器电感器电子元件
- 国际纳米太阳能电源研制技术新动向被引量：5
- 2002年
- 该文简要介绍了染料敏化纳米晶体光电化学太阳能电池（简称NPC电池）的发展历程、组成结构、工作原理和性能特点,并着重对纳米晶体光电化学太阳能电池染料敏化剂的技术特性和研究态势进行了探讨。在此基础上,提出了一些值得深入研究的问题,并分析了其解决对策。
- 于凌宇冯玉萍
- 关键词：纳米晶体太阳能电池染料敏化剂光电化学
- 我国电线电缆行业现状及不足被引量：1
- 2002年
- 主要探讨了我国电线电缆业在总体规模、品种与质量、生产率、投入产出率、企业管理、技术创新、市场意识等方面与发达国家存在的差距,以期引起业界的重视。
- 冯玉萍
- 关键词：电线电缆企业管理技术创新
- 新型高可靠硅集成电路SOI
- 2002年
- SOI是英文Silicon-On-Insulator的简称,意为绝缘衬底上的硅.它通常有两种基本结构,如图1所示.第一种结构的绝缘衬底为蓝宝石,如图1(a)所示.第二种结构的绝缘膜包括SiO,、Si,N4、Al2O、以及其他介质,由于Si/SiO2界面性能稳定,缺陷密度较低,因此SiO2绝缘膜逐渐成为此类结构主流,如图1(b)所示.这两类结构均属于SOI这个范畴,为了区别起见,目前常把第一类结构称之为SOS(Silicon-On-Sapphire),而把第二类结构称之为SOI.
- 于凌宇冯玉萍
- 关键词：退火温度集成电路SOI
- 新型三维存储器技术特性与发展动向
- 2003年
- 该文对具有良好可靠性的新型三维(3D)存储器模块的特点、结构、组装工艺予以介绍,重点分析了其可靠性与热特性,并展望了其发展前景。
- 冯玉萍
- 关键词：组装工艺可靠性热特性
- 导电聚合物新材料性能分析与应用展望
- 2004年
- 该文回顾了导电聚合物新材料的发展．论述了其分类和广泛用途，探讨了有机半导体的光电特性．研究了有机发光器件的结构、工作机理、技术性能及应用．并重点分析了有机彩色显示器的结构、原理及发展前景。
- 冯玉萍于凌宇
- 关键词：导电聚合物有机发光器件
- 采用气体浸渍材料的新型长寿命有机薄膜电容器
- 2002年
- 局部放电现象会给金属化有机薄膜电容器的金属化层、介质及喷金端面产生不良影响,影响电容器寿命。采用SF6气体浸渍材料和特殊工艺制成的GMKP电容器避免了局部放电影响。
- 冯玉萍
- 关键词：有机薄膜电容器六氟化硫
- 国际高能新电源电化学电容器技术应用动态
- 2002年
- 本文回顾了世界电化学电容器的发展历程,探讨了电化学电容器的储能机理与技术特性,研究分析了影响其性能的四大关键要素,并展望了其市场发展前景。
- 冯玉萍于凌宇
- 关键词：电化学电容器技术性能
- 中国与世界IC产业发展态势
- 2002年
- 该文对中国与世界IC产业的发展进行了历史回顾,重点阐述了产业现状与发展方向,并对新世纪的前景进行了科学预测。
- 于凌宇冯玉萍
- 关键词：中国IC产业
