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何逸涛

作品数：54 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 37篇半导体
  • 22篇恒流
  • 21篇功率器件
  • 20篇芯片
  • 19篇二极管
  • 17篇恒流二极管
  • 17篇半导体功率器...
  • 14篇半导体技术
  • 11篇芯片面积
  • 10篇金属阳极
  • 10篇垂直型
  • 9篇终端结构
  • 9篇击穿电压
  • 9篇半导体器件
  • 8篇夹断电压
  • 7篇金属阴极
  • 7篇高压器件
  • 7篇功率半导体
  • 7篇功率半导体器...
  • 6篇电流

机构

  • 54篇电子科技大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇四川长虹电器...

作者

  • 54篇何逸涛
  • 53篇乔明
  • 46篇张波
  • 22篇周锌
  • 20篇代刚
  • 18篇于亮亮
  • 15篇温恒娟
  • 13篇向凡
  • 11篇张康
  • 8篇李肇基
  • 6篇王裕如
  • 5篇吴文杰
  • 5篇张晓菲
  • 4篇章文通
  • 4篇胡曦
  • 4篇方冬
  • 4篇庄翔
  • 4篇王猛
  • 4篇许琬
  • 3篇李成州

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电子与封装

年份

  • 3篇2018
  • 7篇2017
  • 8篇2016
  • 17篇2015
  • 2篇2014
  • 7篇2013
  • 8篇2012
  • 2篇2011
共 54 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米；同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
乔明王裕如代刚张晓菲周锌何逸涛张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中，N型漂移区2通过离子注入形成，在退...
乔明王裕如张晓菲代刚周锌何逸涛张波
一种复合功率半导体器件
一种复合功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合...
乔明温恒娟向凡周锌何逸涛张波李肇基
一种桥式LED恒流驱动芯片
一种桥式LED恒流驱动芯片，属于半导体技术领域。包括4个高反向耐压恒流器件，第一高反向耐压恒流器件阳极与第四高反向耐压恒流器件阴极连接形成第一节点，第一高反向耐压恒流器件阴极与第二高反向耐压恒流器件阴极连接形成第二节点，...
乔明于亮亮何逸涛代刚张康张波
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一种横向恒流二极管及其制造方法
本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、...
乔明于亮亮何逸涛代刚张波
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一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法
一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制...
乔明银杉赵远远何逸涛胡曦王猛庄翔
一种横向恒流二极管
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向恒流二极管。本发明所述的横向恒流二极管，通过在N型阱区引入轻掺杂的P型区和重掺杂的P型区构成P型阱区，从而调制表面电场，提高击穿电压，同时轻掺杂的P型区可辅助耗尽N型阱区，使沟...
乔明许琬章文通李燕妃何逸涛张昕张波
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一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件
一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102）。通过控制主功率LDMOS器件和电流检...
乔明温恒娟向凡何逸涛周锌张波李肇基
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一种横向恒流二极管及其制造方法
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说涉及一种横向恒流二极管及其制造方法。本发明所述的横向恒流二极管，其特征在于通过在普通恒流二极管的源极引入负反馈电阻，从而使恒流二极管的特性更加优良。本发明的有益效果为，引入的电阻...
乔明张康代刚何逸涛于亮亮张晓菲
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一种高压驱动电路
一种高压驱动电路，包括高压电平位移电路、高端输出级电路、低端输出级电路、电流源和死区控制电路。本发明提出的高压驱动电路中高端输出级电路高压PMOS管为薄栅氧结构，而不再像传统高压驱动电路那样采用厚栅氧结构；电路只使用四个...
乔明何逸涛周锌温恒娟向凡吴文杰张波
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