毛强强
- 作品数：7 被引量：7H指数：1
- 供职机构：武汉工程大学化工与制药学院绿色化工过程省部共建教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 硅基上端基为氰基和羧基的自组装膜的制备及其表面形貌的研究
- 本文运用湿化学法处理与液相硅烷化相结合的方法，在单晶硅表面制备了端基为氰基的自组装膜，并进一步利用无机酸氧化法将氰基修饰为羧基，从而制备了端基为羧基的自组装膜。利用原子力显微镜、红外光谱和接触角测试手段，表征了端基为氰基...
- 毛强强刘善堂
- 关键词：自组装膜表面形貌
- 一种半导体硅片的清洗方法
- 本发明涉及一种半导体硅片的清洗方法。一种半导体硅片的清洗方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将半导体硅片放入玻璃培养皿中，并一同放入微波反应器中，调节微波反应器的功率100～1000W，微波辐照清洗1～10min，辐照后...
- 刘善堂毛强强吴元欣
- 文献传递
- 原位化学组装法合成硅基表面上金纳米粒子导电薄膜
- ＜正＞金属纳米粒子因为其独特的光学、电子和催化反应的特性,且在化学和生物传感器等领域有着广泛的应用,多年来一直是科学研究的热点。金纳米粒子由于其易合成,超高稳定性和各种独特的物理化学性质受到了人们的广泛关注。本文采用原位...
- 毛强强严华陈聪刘善堂
- 关键词：金属薄膜
- 文献传递
- 硅基上端基为羧基自组装膜的制备及应用
- 2011年
- 通过液相硅烷化的方法,在硅基底上制备了端基为氰基的分子自组装膜,利用氰基水解的方法,通过改变水溶液中酸的浓度以及反应温度和反应时间,研究了氰基转化为羧基的过程.红外光谱表征结果显示:表面转化完成后,分子自组装膜在2 250 cm-1处和1 711 cm-1处羧酸中羰基吸收峰的出现,证明自组装膜的端氰基已大部分转化为羧基;同时,表面转化后硅基自组装膜表面对纯水的接触角(31.5°)较端基为氰基的自组装膜的接触角(58.1°)有所减少,说明羧基的生成使表面亲水性增加.利用Ag+和COO-之间的化学吸附和化学试剂的原位还原,在端基为羧基的自组装膜表面组装了银纳米粒子.研究结果表明,通过化学方法可以将硅基上端基为氰基的有序分子自组装膜转变为端基为羧基的有序分子自组装膜,并且该自组装膜可以用来作为制备金属纳米粒子的功能基底.
- 毛强强熊芳馨赵静刘善堂
- 关键词：硅基自组装膜羧基金属纳米粒子
- 硅基表面亲水化处理的研究及其表面自组装膜的修饰
- 本文主要围绕硅基上功能自组装膜的制备与修饰、金属纳米粒子薄膜在功能自组装膜上的制备展开了如下的工作。
1．通过比较微波辐照法与传统清洗法亲水化处理的效果，研究了微波辐照法的亲水化处理过程。同时，通过在清洗后的硅...
- 毛强强
- 关键词：光电特性
- 文献传递
- 一种半导体硅片的清洗方法
- 本发明涉及一种半导体硅片的清洗方法。一种半导体硅片的清洗方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将半导体硅片放入玻璃培养皿中，并一同放入微波反应器中，调节微波反应器的功率100～1000W，微波辐照清洗1～10min，辐照后...
- 刘善堂毛强强吴元欣
- 文献传递
- 硅基表面无形貌改变的硫酸/过氧化氢氧化清洗被引量：7
- 2009年
- 提出了一种利用硫酸/过氧化氢溶液氧化清洗硅基的方法.硅片经超声预清洗后,放入硫酸/过氧化氢溶液中,80℃下氧化清洗其表面的污染物.通过接触角检测,表征了清洗前后硅基表面的亲水性变化.通过原子力显微镜(AFM)表征了经硫酸/过氧化氢溶液清洗后硅基的表面形貌.结果显示,经硫酸/过氧化氢溶液亲水化清洗30 min后的硅基表面的接触角为7.3°,显示出很强的亲水性,其表面均方根粗糙度(RMS)仅为0.03 nm.因此,硫酸/过氧化氢氧化清洗法是一种硅基表面无形貌改变的亲水化清洗方法.
- 毛强强文路刘宏芳刘善堂
- 关键词：硅基化学清洗表面形貌
