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程玉华

作品数:28 被引量:58H指数:5
供职机构:北京大学信息科学技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术机械工程医药卫生更多>>

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 20篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇低功耗
  • 4篇硬件
  • 4篇硬件实现
  • 4篇全耗尽
  • 4篇小波
  • 4篇芯片
  • 4篇功耗
  • 4篇SOI
  • 4篇MOSFET
  • 3篇电路
  • 3篇信号
  • 3篇闪存
  • 3篇薄膜全耗尽
  • 3篇NAND
  • 3篇SOC芯片
  • 3篇SOI器件
  • 2篇独立分量分析
  • 2篇闪存控制器
  • 2篇去噪
  • 2篇总线

机构

  • 27篇北京大学
  • 3篇紘康科技股份...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇上海北京大学...

作者

  • 28篇程玉华
  • 17篇陈宏铭
  • 9篇王阳元
  • 5篇李映雪
  • 4篇魏丽琼
  • 3篇武国英
  • 3篇孙玉秀
  • 3篇阎桂珍
  • 2篇王远大
  • 2篇姚益武
  • 2篇沈立
  • 2篇奚雪梅
  • 2篇陆宇
  • 1篇李高林
  • 1篇安辉耀
  • 1篇李蕾
  • 1篇艾占臣
  • 1篇赵清太
  • 1篇陈建广
  • 1篇杨丰

传媒

  • 15篇中国集成电路
  • 3篇Journa...
  • 2篇北京大学学报...
  • 2篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇电源技术应用
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇生物医学工程...

年份

  • 2篇2014
  • 6篇2013
  • 6篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
薄膜全耗尽SOI MOSFET单晶体管Latch效应被引量:1
1995年
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽MOSFET单晶体管Latch效应测试结果的基础上,较为详细地讨论了单晶体管Latch效应的物理机理,发现单管Latch效应与MOSFET的寄生双极晶体管有着极其密切的关系,最后还给出了相应的改进措施。
魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词:场效应晶体管SOI
薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型
1993年
本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。
程玉华王阳元
关键词:SOI技术SOI器件MOSFET
薄膜SOI/CMOS的SPICE电路模拟被引量:5
1994年
鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实用性,分析了器件参数对SOI/CMOS电路速度的影响,这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践.
王阳元奚雪梅甘学温程玉华李映雪
关键词:薄膜电路SOICMOS电路
适合低功耗高精度红外测温SoC芯片与方案实现被引量:2
2012年
本文介绍了适合高精度红外测温的低功耗SoC芯片结构和性能,完成红外数据采集和信号处理功能。本文还阐述了SoC芯片在红外测温系统中的软硬件设计,并进一步说明了SoC设计在红外测温应用中所需的红外传感器与模拟前端电路的原理。红外传感器所产生的红外辐射信号经过放大、滤波、Σ-Δ ADC模数变换后经SoC芯片数据处理,在液晶显示器上显示出测试结果。实验表明,红外耳温计分辨率达到了0.01℃,能够准确、快速的测量耳温,适合家庭、医院或机场的体温检查站使用。
陈宏铭李水竹陈宏维程玉华
关键词:红外测温仪红外传感器SOC芯片ADC
0.0068mm^2自校准电路在锁相环中的应用(英文)被引量:1
2011年
提出了一种可供CMOS锁相环使用的自由调整的自校准技术。与传统的自校准技术相比,新的自校准方案不需要使用参考电压源,而且自校准过程内嵌在锁相环的锁定过程中,所以新的自校准方案减少了芯片的面积:与自校准有关电路的面积只有0.0068 mm2。所设计的PLL采用0.13μm CMOS工艺,工作频率范围在25~700MHz之间。测试表明,当压控振荡器工作在700 MHz的时候,其8倍降频之后的87.5 MHz输出信号的相位噪音在1MHz频率偏移处为-131dBc/Hz。
郑佳鹏李伟杨翼马俊程程玉华王阳元
关键词:锁相环自校准
CMOS/SIMOX-SOI电路
王阳元李映雪张兴奚雪梅魏丽琼程玉华赵清太
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:1、成果简介:优化了制备SIMOX材料的工艺条件,研制出符合器件要求的SIMOX材料,电子和空穴迁移率均超过了原合同的指标,开发一个快速的SIMOX顶层硅膜和预埋氧化层厚度计算程...
关键词:
关键词:SOI器件半导体器件场效应晶体管
适合低功耗便携式血糖仪的SoC芯片与方案实现
2012年
本文介绍了适合便携式血糖仪的低功耗SoC芯片结构和性能,完成模拟数据采集和信号处理功能。本文还阐述了SoC芯片在血糖仪中的软硬件设计,并进一步说明了SoC设计在实际应用中的几个重要功能,例如低功耗睡眠模式,低噪声运放与温度传感器等。血糖和酶电极反应时所产生的微弱电流经过放大、滤波、模数变换后经SoC芯片数据处理,在液晶显示器上显示出测试结果。本文所提出的SoC设计整合低噪声运算放大器转换微弱的血糖信号成电压信号,测试范围达1.1-33.3mmol/L,单次采血量仅为3μL,完成一次测试的时间约4秒,片外的EEPROM可以存储256组历史记录,还具有自动温度补偿与校正功能,适合个人、家庭或医院使用。
陈宏铭李水竹陈宏维程玉华
关键词:血糖仪SOC芯片低功耗模式运算放大器
适合NAND闪存控制器的BCH纠错编译码器VLSI实现被引量:2
2011年
随着大容量MP3播放器、PMP播放器、数码相机、智能手机等消费电子产品的需求持续增长,MLC的NAND闪存已经取代SLC的NAND闪存成为市场主流。而存储容量的增大所带来良率与可靠性的下降,意味着我们需要纠错能力更强大的硬件编译码器来处理可能发生的错误。针对固态硬盘需要支持多通道的NAND闪存,纠错编译码器也要有能够处理并行I/O总线的能力,本文实现了可由软件配置、最大纠错能力t为可变的1~16b的BCH纠错编译码器,在计算错误位置多项式的过程中使用了修正的欧几里德算法。
陈宏铭程玉华
关键词:MLCNANDBCH
针对固态硬盘应用的多通道闪存控制器实现
2012年
本文介绍一种基于MLC闪存和AHB总线的高速大容量数据控制系统的硬件实现方法,所提出的闪存控制器实现带8个8K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理8个通道,每个通道可以连接8个闪存芯片。文中还介绍了快闪存储器存储单元的空白检查和交叉存取操作。实验结果证明该固态盘控制器的最高读速度为230.2MB/s,最高写速度为101.9MB/s.最后给出了控制器的综合结果和功耗分析,在24比特BCH纠错与一个通道的配置条件下,控制器的实现需要315K逻辑门。
陈宏铭程玉华
关键词:NANDF1ASHSSDAHB
应用于ΣΔADC的多级抽取滤波器面积有效实现方法
2013年
本文介绍了一种用于音频过采样模数转换器的多级抽取滤波器的面积有效实现方法。抽取滤波器的抽取倍数为256,通带波纹小于0.005dB,阻带抑制达到100dB。通带范围为0-20kHz,输出为48kHz的16比特信号。通过采用含RAM和ROM的面积有效架构,以及对一个运算周期中有效的指令调度,该抽取滤波器在XilinxFPGA上综合后仅使用了不到300个LUT和不到160个Slice。不同于串行或部分串行架构中运算速率通常大于输入采样速率的情况,该实现方法可使得运算速率和采样速率一致,从而简化整体ΣΔADC设计并降低功耗。架构中RAM和ROM的采用使得该抽取滤波器可编程,进一步可改进用于自适应滤波应用。最后,在Modelsim中的RTL仿真结果通过Matlab\Simulink程序进行了验证。
邓晨曦陈宏铭程玉华
关键词:指令调度
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