刘晶
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：山西省回国留学人员科研经费资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 电化学共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜及表征被引量：1
- 2012年
- 以含一定比例Ga与As2O3的酸性溶液(pH=2.5)作为前驱溶液,以Pt片为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,室温下利用三电极电化学站在Ti衬底上恒压沉积GaAs薄膜。然后对GaAs薄膜进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM),以及荧光光度计(PL)分别对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构,薄膜形貌以及光学性能进行分析表征。结果表明:沉积电压以及退火过程对GaAs薄膜的形貌、晶体结构、薄膜质量有很大影响,所制备的GaAs薄膜退火前晶化程度较低,部分粒子表现出不均匀团聚。光致发光峰为红光发射,且单色性好。退火后的GaAs薄膜为面心立方晶型,呈纳米颗粒状,薄膜的光电性能明显提高。
- 刘晶章海霞李龙马淑芳梁建许并社
- 关键词：电化学沉积晶化光电性能
- GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征被引量：3
- 2013年
- 采用分步电化学沉积法,在FTO玻璃基底上成功制备出GaAs薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外可见光光度计(UV-Vis)、荧光光度计(PL)对不同退火工艺下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行表征。结果表明:GaAs薄膜为面心立方晶系,沿(111)方向择优生长。随着退火温度的升高,薄膜内颗粒逐渐增大,Ga与As原子量比发生变化,Eg值减小,光致发光峰为红外发射峰。同时对其形成机理进行了探讨。
- 李龙章海霞刘晶马淑芳梁建许并社
- 关键词：电沉积退火
- 不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响
- GaN材料本身具有极大的优越性，如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、异质结界面二维电子气浓度高，决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位。而高质量GaN的掺杂制备一直成为研究者关注的热...
- 邵桂雪刘晶梁建赵君芙马淑芳许并社
- 关键词：氮化镓基材料光致发光性能
