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郭云成

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：昆明物理研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇蒸散
  • 2篇氩气
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇吸气剂
  • 2篇HG
  • 2篇超纯
  • 2篇打褶
  • 2篇CD
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇溶剂法
  • 1篇探测器
  • 1篇气体
  • 1篇气体净化
  • 1篇碲镉汞材料
  • 1篇金条
  • 1篇红外
  • 1篇红外材料
  • 1篇N型
  • 1篇SPRITE...

机构

  • 4篇昆明物理研究...

作者

  • 4篇郭云成
  • 2篇严顺英
  • 2篇李秋妍
  • 2篇孔金丞
  • 2篇荣百炼
  • 2篇韩福忠
  • 2篇曹兴国
  • 2篇庄维莎
  • 1篇肖绍泽
  • 1篇薛南屏
  • 1篇刘新进
  • 1篇李玉德
  • 1篇邵式平
  • 1篇李富培

传媒

  • 2篇红外技术

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2005
  • 1篇1999
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种超纯氩气在线净化系统及方法
本发明公开了一种超纯氩气在线净化系统及方法，属于气体净化领域。技术方案为：将锆钒铁合金材料，涂镀到康铜合金条上，将合金条打褶成折叠形状，安装于法兰盘的专用支架及骨架固定，再装入不锈钢圆筒，形成非蒸散型氩气净化装置；通过相...
荣百炼韩福忠孔金丞曹兴国严顺英郭云成高成万李秋妍
文献传递
长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命被引量：1
1999年
测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优质晶体中是以带间碰撞复合为主。
邵式平薛南屏肖绍泽郭云成庄维莎邵康
关键词：载流子寿命碲镉汞材料SPRITE探测器
碲溶剂法生长高均匀性Hg_(1-x)Cd_xTe体晶材料的工艺研究
2005年
通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性Ax为+0.003 mol.CdTe,达到了制作红外焦平面探测器列阵对材料的要求。
李富培李玉德郭云成庄维莎刘新进
关键词：碲镉汞红外材料
一种超纯氩气在线净化系统及方法
本发明公开了一种超纯氩气在线净化系统及方法，属于气体净化领域。技术方案为：将锆钒铁合金材料，涂镀到康铜合金条上，将合金条打褶成折叠形状，安装于法兰盘的专用支架及骨架固定，再装入不锈钢圆筒，形成非蒸散型氩气净化装置；通过相...
荣百炼韩福忠孔金丞曹兴国严顺英郭云成高成万李秋妍
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