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江兴川

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇双极型
  • 4篇双极型晶体管
  • 4篇晶体管
  • 4篇绝缘栅
  • 4篇绝缘栅双极型...
  • 3篇集电极
  • 2篇导通
  • 2篇导通压降
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇硅栅
  • 2篇发射极
  • 2篇N层
  • 2篇SP
  • 2篇IGBT
  • 2篇槽栅

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇林信南
  • 6篇江兴川
  • 4篇李志贵
  • 2篇何进
  • 2篇李冰华
  • 2篇吴佳珍
  • 2篇孟航

传媒

  • 1篇电源技术应用
  • 1篇变频技术应用

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种超结绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设...
吴佳珍江兴川李志贵林信南何进
文献传递
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级...
孟航李冰华江兴川林信南
文献传递
一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT
2013年
绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。本文提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为．情况下，新结构的导通压降相比普通结构可以降低约25％。
李志贵江兴川林信南
关键词：IGBT导通压降
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级...
孟航李冰华江兴川林信南
文献传递
一种超结绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设...
吴佳珍江兴川李志贵林信南何进
文献传递
一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT
2014年
绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子技术中应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。文中提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为5×10-5A／μm情况下，新结构的导通压降比普通结构的器件可以降低约25％。
李志贵江兴川林信南
关键词：IGBT导通压降
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共1页<1>
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