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李志贵
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北京大学深圳研究生院
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相关领域:
电子电信
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合作作者
江兴川
北京大学深圳研究生院信息工程学...
林信南
北京大学深圳研究生院信息工程学...
吴佳珍
北京大学深圳研究生院
何进
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林信南
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李志贵
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何进
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1篇
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1篇
2014
1篇
2013
1篇
2012
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一种超结绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管,包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区,有源区包括P阱体区,P+阱区和N+阱区;P型衬底下端设置有电极,作为集电极引出;P型衬底上端为N型基区,N型基区内部一侧设置有P柱,P柱上方设...
吴佳珍
江兴川
李志贵
林信南
何进
文献传递
一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT
2013年
绝缘栅双极晶体管(IGBT)在功率电子应用,比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。本文提出了一种新型的IGBT结构,就是在普通IGBT的P体区中插入N层,形成分离的P体区。这种结构导通压降低,同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为.情况下,新结构的导通压降相比普通结构可以降低约25%。
李志贵
江兴川
林信南
关键词:
IGBT
导通压降
一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT
2014年
绝缘栅双极晶体管(IGBT)在功率电子技术中应用,比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。文中提出了一种新型的IGBT结构,就是在普通IGBT的P体区中插入N层,形成分离的P体区。这种结构导通压降低,同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为5×10-5A/μm情况下,新结构的导通压降比普通结构的器件可以降低约25%。
李志贵
江兴川
林信南
关键词:
IGBT
导通压降
一种超结绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管,包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区,有源区包括P阱体区,P+阱区和N+阱区;P型衬底下端设置有电极,作为集电极引出;P型衬底上端为N型基区,N型基区内部一侧设置有P柱,P柱上方设...
吴佳珍
江兴川
李志贵
林信南
何进
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