刘长宇
- 作品数：6 被引量：29H指数：4
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究被引量：10
- 2006年
- 研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理;对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素,如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析;特别针对抛光液对铜布线CMP的影响,提出了目前存在的主要问题,并对未来的研究方向和研究内容进行了展望。
- 刘博刘玉岭孙鸣贾英茜刘长宇
- 关键词：化学机械抛光铜布线抛光液
- pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响被引量：5
- 2007年
- 采用化学机械抛光方法,自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光,通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值,配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率。分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的去除机理和抛光液的pH值及抛光液中各个组分对抛光速率和表面质量的影响。
- 武晓玲刘玉岭王胜利刘长宇刘承霖
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光PH值
- 用于计算机硬盘基片化学机械抛光的抛光液
- 本发明公开了一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光的纳米SiO<Sub>2</Sub>水溶胶为磨料的碱性抛光液。本发明抛光液的成分和重量％比组成如下：螯合剂0.5－10、pH值调节剂0.5－5、硅溶胶50－90、表面活性剂0....
- 刘玉岭刘长宇牛新环康静业
- 文献传递
- 计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究被引量：6
- 2006年
- 随着计算机硬盘容量的增大、转速的提高、磁头与盘片间距离的降低,对硬盘基板材料选择及改善基板表面平整度提出了更高的要求。综述了硬盘基板材料的发展状况,指出了基板化学机械抛光(CMP)中亟待解决的问题和解决的途径,分析研究了影响硬盘基板CMP技术的因素及如何控制基板抛光后的表面质量。
- 刘长宇刘玉岭王娟牛新环
- 关键词：硬盘化学机械抛光平整度
- 用于硬盘NiP基片CMP的一种碱性SiO_2抛光液被引量：2
- 2007年
- 在NiP基片的化学机械抛光中,针对现有酸性抛光液存在的易腐蚀、易污染和以Al2O3为磨料造成易划伤表面的质量问题,尝试使用SiO2水溶胶作为抛光磨料,通过加入非离子表面活性剂和螯合剂等,配制成一种碱性环境下的硬盘基片抛光液。通过化学机械抛光试验,发现这种碱性SiO2抛光液在硬盘NiP基片抛光中具有250nm/min的抛光速率,抛光后的表面粗糙度为0.8nm,表面光滑,几乎观察不到划痕及其他微观缺陷。
- 刘长宇刘玉岭武晓玲孙鸣张伟
- 关键词：硬盘磷化镍化学机械抛光
- ULSI电路层间SiO_2介质CMP工艺与抛光液被引量：6
- 2006年
- 阐明了化学机械抛光(CMP)工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用,介绍了作为IC多层布线层间介质SiO2的化学机械抛光机理及其抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色,着重分析了影响SiO2介质化学机械抛光质量的主要因素并在此基础上提出CMP工艺的优化工艺条件以及今后SiO2介质CMP研究重点。
- 孙鸣刘玉岭贾英茜刘博刘长宇
- 关键词：化学机械抛光去除速率
