您的位置： 专家智库 > >

刘宸

作品数：4 被引量：13H指数：2
供职机构：北京化工大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：冶金工程一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇素坯
  • 3篇粉体
  • 2篇烧结法
  • 2篇烧结助剂
  • 2篇铟锡氧化物
  • 2篇脱蜡
  • 2篇化学共沉淀
  • 2篇复合粉
  • 2篇复合粉体
  • 2篇靶材
  • 2篇ITO靶材
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米粉
  • 1篇纳米粉体
  • 1篇粉末冶金
  • 1篇PVA

机构

  • 4篇北京化工大学

作者

  • 4篇刘家祥
  • 4篇刘宸
  • 2篇王玥
  • 2篇王玥

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇有色金属

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
单相结构-高密度铟锡氧化物靶材的制备方法
本发明是一种单相结构、高密度铟锡氧化物靶材的制备方法，是一种以常压烧结法制备ITO靶材的方法。本发明是利用化学共沉淀法制备ITO复合粉体，在ITO粉体中加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的ITO粉体模压成型得到初坯，再...
刘家祥刘宸王玥
单相结构-高密度铟锡氧化物靶材的制备方法
本发明是一种单相结构、高密度铟锡氧化物靶材的制备方法，是一种以常压烧结法制备ITO靶材的方法。本发明是利用化学共沉淀法制备ITO复合粉体，在ITO粉体中加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的ITO粉体模压成型得到初坯，再...
刘家祥刘宸王玥
文献传递
纳米级ITO粉体对烧结法制备靶材的影响被引量：3
2011年
采用化学共沉淀法制备ITO前驱物,分别于600及1000℃下热处理前驱物,得到两种ITO粉体。粉体模压成型得到素坯,在400～1550℃内采用烧结法、氧气氛下烧结素坯制备出ITO靶材。对粉体及靶材进行表征和分析,研究了烧结过程中晶粒生长情况、靶材微结构与温度之间关系及靶材的失氧现象。得出600℃粉体为单相ITO固溶体、粒径为15nm,1000℃粉体有少量SnO2析出、粒径为28nm且其分散性和晶化程度优于600℃的粉体。两种粉体烧结制备靶材过程符合Coble固相烧结理论,1550℃时晶体出现类似二维成核生长方式的生长台阶。靶材密度随温度升高而增加,1550℃时随保温时间延长而增加。靶材致密化过程由团聚程度及团聚体大小决定,1000℃粉体制备的靶材密度高于600℃粉体所制靶材。两类靶材含氧量均低于理论值,1000℃粉体所制靶材含氧量高于600℃的含氧量。
王玥刘家祥刘宸
关键词：ITO靶材
成形工艺对烧结法制备ITO靶材的影响被引量：10
2010年
以平均粒径为30nm的ITO粉体为原料，添加少量聚乙烯醇（PVA）造粒，模压成形获得素坯，在氧气氛、1550℃烧结素坯制备IT0靶材。采用100～600MPa的成形压力，添加0．5％，1．0％，2．5％的PVA制备靶材，研究压力和PVA添加量对靶材制备的影响。结果表明，成形压力在100～500MPa内，素坯及靶材密度随压力升高而增大，500MPa时达到最大值，分别为47．5％和99．16％。600MPa时素坯和靶材密度略微降低。成形压力越高，摩擦导致的压力损失越大，素坯脱模越困难。增大PVA添加量，素坯更易脱模，且坯体内密度分布更均一。添加1．0％的PVA时获得的素坯及靶材密度最高，分别为45，21％和98，45％。得出素坯的较佳制备条件为成型压力400MPa，PVA添加1．0％。
王玥刘家祥刘宸
关键词：粉末冶金ITO靶材素坯PVA
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0