张雷
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：江苏大学电气信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低功耗准线性CMOS光电耦合放大器
- 2009年
- 设计了一款CMOS光电耦合隔离放大器(简称光电耦合放大器),其中输入放大器采用"套筒式"共源-共栅CMOS运放A1,输出放大器选用两级共源-共源CMOS运放A2,A1的输出信号经过两个光电耦合器反馈到输入回路,且A1、A2分别引入负反馈。此外,还采取了其他的改进措施。实验结果表明,与BiCMOS光电耦合放大器相比,所设计的CMOS光电耦合放大器的±3 dB带宽约增加14 kHz,功耗降低5.46 mW,增益线性度提高到5.9×10—5,因而特别适合于高线性度、低功耗的光电信号处理和智能检测系统中。
- 成立张雷周洋张静倪雪梅王振宇
- 关键词：CMOS器件线性度功耗
- 高精度CMOS DEM-CCⅡ放大器
- 2009年
- 采用动态元件匹配二代电流传输器(DEM-CCⅡ)技术,设计了一种0.35μm标准工艺的高精度CMOS放大器。通过比较传统的CMOS运放可知,所设计的CMOS放大器既增大了输出摆幅又减小了输出阻抗,且有效地限制了有限的运放增益对电路性能的影响。仿真实验结果表明,该CMOS放大器增益误差比传统运放的增益误差小38～50倍,精度等级明显提高,因而特别适用于各类检测和信号调理放大器的设计中。
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- 一种改进型BiCMOS带隙基准源的仿真设计被引量：1
- 2009年
- 依据带隙基准原理,设计了一种基于90 nm BiCMOS工艺的改进型带隙基准源电路。该电路设置运算跨导放大器以实现低压工作,用共源-共栅MOS管提高电路的电源抑制比,并加设了新颖的启动电路。HSPICE仿真结果表明,在低于1.1 V的电源电压下,所设计的电路能稳定地工作,输出稳定的基准电压约为610 mV;在电源电压VDD为1.2 V、温度27℃、频率为10 kHz以下时,电源噪声抑制比约为-45 dB;当温度为-40-120℃时,电路的温度系数约为11×10-6℃,因此该基准源具有低工作电压、高电源抑制比、低温度系数等性能优势。
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- 关键词：带隙基准源电源抑制比温度系数
- 用于光通信系统的BiCMOS F/V转换器
- 2009年
- 设计了一种由3运放A1、A2和A3组成的BiCMOS频率/电压(F/V)转换器,其中A1、A2设计成共源-共源CMOS运放,而低通滤波器(LPF)中的A3采用BiCMOS运放。优选了整个F/V转换器的元器件参数,并采取了提速和降耗等措施。实验结果表明,所设计的转换器输入至LPF的脉冲信号频率f2与输入信号频率fi相等,且该转换器输出电压平均值Uo与fi成正比;它可在4 Hz≤fi≤10 kHz的范围内工作,其综合性能指标——延迟-功耗积约为1.09 nJ,转换线性度仅为1.7×10-2,因而特别适用于低功耗、高线性度的光纤通信和光电检测系统中。
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- 关键词：双极互补金属氧化物半导体F/V转换器光通信系统
- 低压低耗宽带CMOS电流反馈运放仿真设计被引量：2
- 2009年
- 设计了一种低压、宽带CMOS电流反馈运算放大器(CFOA),它可以实现轨到轨的输入/输出,同时具有较大的电流驱动能力。采用0.25μm CMOS工艺参数,对所设计的CFOA进行了PSPICE仿真,结果表明,该CFOA可工作在±0.75V的电源电压、304μA的总待机电流下,电路的通频带宽度为120MHz,输出驱动电流为±1mA,因而可用于低压、较大驱动电流的应用场合。
- 张静成立倪雪梅张雷周洋王振宇
- 关键词：电流反馈运算放大器可变增益放大器CMOS器件
