倪雪梅
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：江苏大学电气信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低功耗准线性CMOS光电耦合放大器
- 2009年
- 设计了一款CMOS光电耦合隔离放大器(简称光电耦合放大器),其中输入放大器采用"套筒式"共源-共栅CMOS运放A1,输出放大器选用两级共源-共源CMOS运放A2,A1的输出信号经过两个光电耦合器反馈到输入回路,且A1、A2分别引入负反馈。此外,还采取了其他的改进措施。实验结果表明,与BiCMOS光电耦合放大器相比,所设计的CMOS光电耦合放大器的±3 dB带宽约增加14 kHz,功耗降低5.46 mW,增益线性度提高到5.9×10—5,因而特别适合于高线性度、低功耗的光电信号处理和智能检测系统中。
- 成立张雷周洋张静倪雪梅王振宇
- 关键词：CMOS器件线性度功耗
- 高精度CMOS DEM-CCⅡ放大器
- 2009年
- 采用动态元件匹配二代电流传输器(DEM-CCⅡ)技术,设计了一种0.35μm标准工艺的高精度CMOS放大器。通过比较传统的CMOS运放可知,所设计的CMOS放大器既增大了输出摆幅又减小了输出阻抗,且有效地限制了有限的运放增益对电路性能的影响。仿真实验结果表明,该CMOS放大器增益误差比传统运放的增益误差小38～50倍,精度等级明显提高,因而特别适用于各类检测和信号调理放大器的设计中。
- 张雷成立周洋张静倪雪梅王振宇
- 低噪声高增益CMOS运算放大器设计
- 随着国内通信事业的快速发展,运算放大器/(简称运放/)被广泛用于各类无线电接收机的高频或中频前置放大级和高灵敏度电子设备中。在放大微弱信号场合,运放自身噪声对有用信号的干扰可能会很严重,因而设计了一款低噪声系数、高功率增...
- 倪雪梅
- 关键词：CMOS低噪声运算放大器高增益带宽
- 文献传递
- 用于光通信系统的BiCMOS F/V转换器
- 2009年
- 设计了一种由3运放A1、A2和A3组成的BiCMOS频率/电压(F/V)转换器,其中A1、A2设计成共源-共源CMOS运放,而低通滤波器(LPF)中的A3采用BiCMOS运放。优选了整个F/V转换器的元器件参数,并采取了提速和降耗等措施。实验结果表明,所设计的转换器输入至LPF的脉冲信号频率f2与输入信号频率fi相等,且该转换器输出电压平均值Uo与fi成正比;它可在4 Hz≤fi≤10 kHz的范围内工作,其综合性能指标——延迟-功耗积约为1.09 nJ,转换线性度仅为1.7×10-2,因而特别适用于低功耗、高线性度的光纤通信和光电检测系统中。
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- 关键词：双极互补金属氧化物半导体F/V转换器光通信系统
- 一种改进型BiCMOS带隙基准源的仿真设计被引量：1
- 2009年
- 依据带隙基准原理,设计了一种基于90 nm BiCMOS工艺的改进型带隙基准源电路。该电路设置运算跨导放大器以实现低压工作,用共源-共栅MOS管提高电路的电源抑制比,并加设了新颖的启动电路。HSPICE仿真结果表明,在低于1.1 V的电源电压下,所设计的电路能稳定地工作,输出稳定的基准电压约为610 mV;在电源电压VDD为1.2 V、温度27℃、频率为10 kHz以下时,电源噪声抑制比约为-45 dB;当温度为-40-120℃时,电路的温度系数约为11×10-6℃,因此该基准源具有低工作电压、高电源抑制比、低温度系数等性能优势。
- 周洋成立张雷张静倪雪梅王振宇
- 关键词：带隙基准源电源抑制比温度系数
- 低压低耗宽带CMOS电流反馈运放仿真设计被引量：2
- 2009年
- 设计了一种低压、宽带CMOS电流反馈运算放大器(CFOA),它可以实现轨到轨的输入/输出,同时具有较大的电流驱动能力。采用0.25μm CMOS工艺参数,对所设计的CFOA进行了PSPICE仿真,结果表明,该CFOA可工作在±0.75V的电源电压、304μA的总待机电流下,电路的通频带宽度为120MHz,输出驱动电流为±1mA,因而可用于低压、较大驱动电流的应用场合。
- 张静成立倪雪梅张雷周洋王振宇
- 关键词：电流反馈运算放大器可变增益放大器CMOS器件
- 低噪声高单位增益带宽双极型运放设计被引量：2
- 2010年
- 设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz^(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。
- 倪雪梅成立杨宁严鸣凌新周洋
- 关键词：锗硅双极型晶体管低噪声
