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纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法: 本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行...; 张忻郑亮刘洪亮李松浩周子群张久兴刘燕琴; 文献传递

高纯高致密YbB6多晶块体阴极材料的制备方法: 高纯高致密YbB6多晶块体阴极材料的制备方法属于稀土六硼化物多晶阴极材料技术领域。目前，通常采用热压烧结法制备YbB6多晶块体，而热压烧结法的烧结温度高(1900-2100℃)...; 张忻梁超龙张繁星郑亮王杨刘洪亮李松浩张久兴; 文献传递

纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法: 本发明涉及纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行...; 张忻郑亮刘洪亮李松浩周子群张久兴刘燕琴; 文献传递

Mg3Sb2基热电材料的制备方法: Mg3Sb2基热电材料的制备方法，采用感应熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术的方法制备Mg3-xAxSb2-y</Sub...; 张忻周子群刘洪亮李松浩郑亮张久兴刘燕琴; 文献传递

Ag掺杂SnSe化合物的制备及热电性能被引量：2: 2016年; Sn Se是一种潜在的极具应用前景的热电材料。采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法制备了Ag掺杂的Sn1-xAgxSe(0.005≤x≤0.03)多晶块体热电材料,并借助XRD、SEM、电热输运测试系统研究了其物相组成、微结构与电热输运性能。XRD分析结果表明,少量Ag(0.005≤x≤0.01)掺杂仍然能够成功制备出单相斜方结构Sn Se化合物,但随着Ag掺杂量的增加,基体中出现Sn Ag Se2第二相,且第二相含量逐渐增加。掺杂Ag大幅度提高了载流子浓度,从而使材料的综合电输运性能(功率因子)显著提高,当Ag掺杂量x=0.02时,功率因子提高至4.95×10-4 W/(m·K2),较未掺杂Sn Se样品提高了36%。尽管掺杂样品的热导率均有小幅升高,无量纲热电优值(ZT)仍获得一定改善。当Ag掺杂量x=0.02时,Sn0.98Ag0.02Se成分样品具有较高的热电优值,并在823 K附近达到最高值0.82。; 李松浩张忻刘洪亮郑亮张久兴; 关键词：AG掺杂放电等离子烧结热电性能

一种复合硒化锡基热电材料的制备方法: 一种新型热电材料——硒化锡(SeSn)基复合材料粉体的合成及其烧结块体的制备方法，属新型半导体热电材料制备技术领域。本发明采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法分别制备了石墨烯复合SnSe基热电材料，大幅提高了SnSe基...; 张忻李松浩刘洪亮郑亮周子群刘燕琴; 文献传递

Mg2Si0.5Sn0．5Sbx固溶体的快速制备及其热电性能优化: 2016年; 采用感应熔炼结合放电等离子烧结技术成功制备了单相Mg2Si0.5Sn0.5Sbx（0≤x≤0．015）系列固溶体。从XRD和XRF分析结果可以看出，该制备方法能够很好地避免Mg元素的氧化和有效控制Mg的含量，且Sb元素成功进入了固溶体的晶格位置。热电性能测试结果表明，所有样品的Seebeck系数均为负值，且随着Sb掺杂量x的增加，电阻率大幅度降低，呈现出n型半导体输运特性；Sb元素进入固溶体晶格位置产生晶格畸变，从而增加了声子散射，降低了晶格热导率，所以掺杂Sb样品的晶格热导率明显低于未掺杂样品。Sb掺杂样品的无量纲热电优值ZT明显高于未掺杂样品，其中Sb掺杂量x=0．01成分样品Mg2Si0.5Sn0.5Sb0.1具有最大ZT值，并在700K附近取得最大值约为0．56。; 郑亮张忻刘洪亮韩志明李松浩周子群路清梅张久兴刘燕琴; 关键词：热电性能放电等离子烧结晶格热导率

一种复合硒化锡基热电材料的制备方法: 一种新型热电材料——硒化锡(SeSn)基复合材料粉体的合成及其烧结块体的制备方法，属新型半导体热电材料制备技术领域。本发明采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法分别制备了石墨烯复合SnSe基热电材料，大幅提高了SnSe基...; 张忻李松浩刘洪亮郑亮周子群刘燕琴; 文献传递

SnSe基热电材料的制备及热电性能研究: SnSe基热电材料是一种环境友好型热电材料，具有原料蕴藏丰富、价格低廉、组成元素无毒以及化学性质稳定等优点。本文采用机械合金化与放电等离子烧结相结合的技术制备了SnSe多晶块体以及Cu、Ag掺杂的Sn1-xSeCux(0...; 李松浩; 关键词：机械合金化微观结构铜元素

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李松浩