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纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法: 本发明涉及纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行...; 张忻郑亮刘洪亮李松浩周子群张久兴刘燕琴; 文献传递

纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法: 本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行...; 张忻郑亮刘洪亮李松浩周子群张久兴刘燕琴; 文献传递

n型碲化铋基复合材料的制备与性能研究: 热电材料是一种能将热能和电能实现相互转换的功能材料，其制成的热电器件具有无噪音、低维护、无运动部件、绿色环保等优点。碲化铋基热电材料作为室温附近最好的热电材料之一，在航天、军事、民用等领域有着广泛的应用。本实验采用机械合...; 周子群; 关键词：机械合金化放电等离子烧结热电性能

Mg3Sb2基热电材料的制备方法: Mg3Sb2基热电材料的制备方法，采用感应熔炼结合放电等离子烧结(SPS)技术的方法制备Mg3-xAxSb2-y</Sub...; 张忻周子群刘洪亮李松浩郑亮张久兴刘燕琴; 文献传递

一种复合硒化锡基热电材料的制备方法: 一种新型热电材料——硒化锡(SeSn)基复合材料粉体的合成及其烧结块体的制备方法，属新型半导体热电材料制备技术领域。本发明采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法分别制备了石墨烯复合SnSe基热电材料，大幅提高了SnSe基...; 张忻李松浩刘洪亮郑亮周子群刘燕琴; 文献传递

Mg2Si0.5Sn0．5Sbx固溶体的快速制备及其热电性能优化: 2016年; 采用感应熔炼结合放电等离子烧结技术成功制备了单相Mg2Si0.5Sn0.5Sbx（0≤x≤0．015）系列固溶体。从XRD和XRF分析结果可以看出，该制备方法能够很好地避免Mg元素的氧化和有效控制Mg的含量，且Sb元素成功进入了固溶体的晶格位置。热电性能测试结果表明，所有样品的Seebeck系数均为负值，且随着Sb掺杂量x的增加，电阻率大幅度降低，呈现出n型半导体输运特性；Sb元素进入固溶体晶格位置产生晶格畸变，从而增加了声子散射，降低了晶格热导率，所以掺杂Sb样品的晶格热导率明显低于未掺杂样品。Sb掺杂样品的无量纲热电优值ZT明显高于未掺杂样品，其中Sb掺杂量x=0．01成分样品Mg2Si0.5Sn0.5Sb0.1具有最大ZT值，并在700K附近取得最大值约为0．56。; 郑亮张忻刘洪亮韩志明李松浩周子群路清梅张久兴刘燕琴; 关键词：热电性能放电等离子烧结晶格热导率

纳米复合n型Bi_2(Te_(0.9)Se_(0.1))_3/(SiC)_y热电材料的微观组织结构与热电性能被引量：1: 2018年; 以铋粉、碲粉、硒粉以及纳米SiC粉末为原料,采用机械合金化结合放电等离子烧结技术成功制备了n型Bi_2(Te_(0.9)Se_(0.1))_3/(SiC)_y(0≤y≤0.02)纳米复合热电材料,并详细研究了纳米SiC复合量对样品物相组成、微观组织结构以及热电性能的影响。实验结果表明,纳米尺度的SiC颗粒弥散分布在微米尺度的Bi_2(Te_(0.9)Se_(0.1))_3基体中的晶界处,这种纳米复合结构能够显著降低晶格热导率,对热电性能的提高非常有利。Bi_2(Te_(0.9)Se_(0.1))_3/(SiC)_y复合热电材料的电输运特性为n型传导,电阻率和Seebeck系数均随SiC含量的增多而增大,在室温附近仍保持有良好的电输运特性。纳米SiC颗粒弥散分布在晶界位置,可以增加声子散射,显著降低热导率,使得复合有SiC的样品的ZT值相较未掺杂的样品有所提高,在SiC复合量摩尔比y=0.01,T=323K时,Bi_2(Te_(0.9)Se_(0.1))_3/(SiC)_(0.01)成分样品具有最大ZT值,达到0.73。; 田杰张忻周子群刘洪亮伏亚楠张久兴; 关键词：BI2TE3 热导率晶格热导率 ZT

一种复合硒化锡基热电材料的制备方法: 一种新型热电材料——硒化锡(SeSn)基复合材料粉体的合成及其烧结块体的制备方法，属新型半导体热电材料制备技术领域。本发明采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法分别制备了石墨烯复合SnSe基热电材料，大幅提高了SnSe基...; 张忻李松浩刘洪亮郑亮周子群刘燕琴; 文献传递

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周子群