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罗才军

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学材料科学与工程学院金属材料强度国家重点实验室更多>>
发文基金：江苏省新型环保重点实验室开放课题基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术建筑科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇等离子体增强
  • 2篇等离子体增强...
  • 2篇电泳
  • 2篇电泳分离
  • 2篇盐酸
  • 2篇盐酸溶液
  • 2篇酸溶液
  • 2篇晶体
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇硅晶
  • 2篇硅晶体
  • 2篇废砂
  • 2篇阿拉伯树胶
  • 2篇PECVD
  • 2篇处理工艺
  • 1篇带隙
  • 1篇碳化硅
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶

机构

  • 4篇西安交通大学
  • 1篇盐城工学院

作者

  • 4篇罗才军
  • 3篇杨建锋
  • 3篇于方丽
  • 3篇白宇
  • 2篇王涛
  • 1篇秦毅
  • 1篇岳冬

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
硅晶体加工过程中废砂浆的处理工艺
本发明公开了一种硅晶体加工过程中废砂浆的处理工艺。利用电泳分离技术将废砂浆中的单晶硅Si及碳化硅SiC分离，使之回收再利用。首先，在废砂浆中加入2-5vol.％稀盐酸溶液，稀盐酸溶液与废砂浆体积比为1.5至3；沉降24-...
杨建锋白宇王涛罗才军于方丽
文献传递
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备SiC薄膜及其光学特性研究
罗才军
关键词：等离子体增强化学气相沉积SIC薄膜化学键光学带隙纳米晶
硅晶体加工过程中废砂浆的处理工艺
本发明公开了一种硅晶体加工过程中废砂浆的处理工艺。利用电泳分离技术将废砂浆中的单晶硅Si及碳化硅SiC分离，使之回收再利用。首先，在废砂浆中加入2-5vol.％稀盐酸溶液，稀盐酸溶液与废砂浆体积比为1.5至3；沉降24-...
杨建锋白宇王涛罗才军于方丽
PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响被引量：1
2013年
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积了SiC薄膜．通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、X射线光电子能谱仪（XPS）及扫描电子显微镜（SEM）研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律。结果表明：在60～500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜，薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低，并且在相同沉积条件下，薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底。此外，薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低，当基底温度控制在350℃左右时，可以获得硅碳比为1：1较理想的SiC薄膜。
于方丽白宇秦毅岳冬罗才军杨建锋
关键词：碳化硅等离子体增强化学气相沉积基底温度
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