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岳冬

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学材料科学与工程学院金属材料强度国家重点实验室更多>>
发文基金：江苏省新型环保重点实验室开放课题基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇碳化硅
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇基底温度
  • 1篇PECVD
  • 1篇SIC

机构

  • 1篇西安交通大学
  • 1篇盐城工学院

作者

  • 1篇杨建锋
  • 1篇于方丽
  • 1篇白宇
  • 1篇秦毅
  • 1篇罗才军
  • 1篇岳冬

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响被引量：1
2013年
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积了SiC薄膜．通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、X射线光电子能谱仪（XPS）及扫描电子显微镜（SEM）研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律。结果表明：在60～500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜，薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低，并且在相同沉积条件下，薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底。此外，薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低，当基底温度控制在350℃左右时，可以获得硅碳比为1：1较理想的SiC薄膜。
于方丽白宇秦毅岳冬罗才军杨建锋
关键词：碳化硅等离子体增强化学气相沉积基底温度
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