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稻秀美

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氧化钨
  • 2篇三氧化钨
  • 2篇缓冲层
  • 2篇OLED
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇氧化铟
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇发光
  • 1篇发光器件
  • 1篇钨
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 2篇复旦大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 2篇稻秀美
  • 1篇林华平
  • 1篇张群
  • 1篇杨铭

传媒

  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
OLED用三氧化钨缓冲层的研究
本文采用直流磁控溅射法和脉冲等离子体沉积方法/(Pulsed Plasma Deposition, PPD/)在普通玻璃衬底上制备了三氧化钨半导体薄膜,靶材分别是99.99/%的纯钨金属靶材和三氧化钨粉末压制烧结而成的三...
稻秀美
关键词：OLED
文献传递
OLED用三氧化钨缓冲层的研究被引量：2
2012年
采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.
稻秀美林华平杨铭张群
关键词：三氧化钨有机电致发光器件缓冲层
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