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焦斌

作品数:12 被引量:0H指数:0
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 6篇存储器
  • 5篇电路
  • 4篇RRAM
  • 3篇电流镜
  • 3篇电阻
  • 2篇读操作
  • 2篇多位数
  • 2篇质谱
  • 2篇质谱仪
  • 2篇气压
  • 2篇前级
  • 2篇限流
  • 2篇斜坡
  • 2篇离子
  • 2篇进样
  • 2篇晶体管
  • 2篇工作气压
  • 1篇单极性
  • 1篇电流
  • 1篇电路集成

机构

  • 12篇清华大学

作者

  • 12篇焦斌
  • 6篇吴华强
  • 6篇于杰
  • 4篇钱鹤
  • 4篇邓宁
  • 3篇陈培毅
  • 2篇吴明昊
  • 2篇张树超
  • 2篇伍冬
  • 1篇张文俊
  • 1篇于杰
  • 1篇邓宁

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2013
  • 2篇2011
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种复合自由层STT-RAM存储单元
本发明公开了数据存储技术领域中的一种复合自由层STT-RAM存储单元。该单元包括上电极、盖帽层、复合自由层、绝缘氧化层、固定层、铂锰种子层、缓冲层、下电极;其中,复合自由层采用复合材料CoFeSiO,绝缘氧化层为Mgo,...
邓宁张树超焦斌陈培毅
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一种RRAM写电路
本发明提出一种RRAM写电路,包括:存储单元阵列,存储单元阵列包括M行N列存储单元,其中每个存储单元包括一个电阻和一个晶体管,其中,晶体管的漏极经过电阻与位线相连,晶体管的栅极与字线相连,每一列晶体管的源极相连;和限流模...
于杰焦斌伍冬吴华强钱鹤
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一种高密度电阻型随机存储单元
本发明公开了存储器技术领域中的一种高密度电阻型随机存储单元。该存储单元的阻变部分嵌入在晶体管栅氧化层和栅电极层之间,通过晶体管沟道向栅极的隧穿电流对阻变层进行写操作,对存储单元的读操作直接在阻变层两端进行。该存储单元可以...
邓宁张树超焦斌陈培毅
文献传递
阻变存储器中连续斜坡脉冲式写电路
本发明公开了一种阻变存储器中连续斜坡脉冲式写电路,包括:稳压电路、电阻、电流镜、电容、选通管、变阻单元以及晶体管,其中:稳压电路的输出端通过电阻接入电流镜的输入端,电流镜的输出端并联电容,同时电流镜的输出端还通过选通管加...
焦斌于杰吴华强
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质谱仪气压调节系统及方法
本发明公开了一种质谱仪气压调节系统及方法,该系统包括:真空腔、进样系统、真空抽气系统和气压调节系统。其中,真空腔与进样系统、真空抽气系统和气压调节系统连接,用于提供真空环境;进样系统,用于实现质谱仪的离子进样;真空抽气系...
欧阳证李柠汐刘新玮焦斌
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基于WO_x阻变材料的RRAM电路设计
2013年
采用HHNEC0.18μm标准CMOS工艺设计实现了多个1kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特点,提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路,满足了单极(Unipolar)与双极(Bipolar)兼容操作需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了置位(set)过程需要字线限流的问题,进而可以实现包含‘0’和‘1’多位数据的并行写入。芯片采用高低两种电压设计,同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。
于杰张文俊焦斌
阻变存储器外围电路关键技术研究进展
2013年
阻变存储器(RRAM)是一种前景非常好的未来通用存储技术,也是当前国际学术界和工业界研究的热点。主要介绍了存储器外围电路的电路设计,并介绍了阻性存储器外围电路,包括验证电路、写电路、参考模块方案和形式、限流等关键技术的原理,重点讨论了提升复位操作速度,改善高阻值离散性,参考方案的设计和参考单元的组成,用限流实现低功耗操作的方法及其发展趋势。
焦斌邓宁陈培毅
关键词:复位读操作限流
一种RRAM存储器读电路
本发明提出一种的RRAM存储器读电路,包括:阻变单元阵列,包括多个串并联的RRAM阻变单元,用于实现数据存储功能;参考单元阵列,包括多个串并联的RRAM阻变单元,用于提供参考电压;多级调节电流模块,包括译码器和多级参考支...
于杰焦斌吴明昊吴华强邓宁钱鹤
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阻变存储器中连续斜坡脉冲式写电路
本发明公开了一种阻变存储器中连续斜坡脉冲式写电路,包括:稳压电路、电阻、电流镜、电容、选通管、变阻单元以及晶体管,其中:稳压电路的输出端通过电阻接入电流镜的输入端,电流镜的输出端并联电容,同时电流镜的输出端还通过选通管加...
焦斌于杰吴华强
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一种RRAM写电路
本发明提出一种RRAM写电路,包括:存储单元阵列,存储单元阵列包括M行N列存储单元,其中每个存储单元包括一个电阻和一个晶体管,其中,晶体管的漏极经过电阻与位线相连,晶体管的栅极与字线相连,每一列晶体管的源极相连;和限流模...
于杰焦斌伍冬吴华强钱鹤
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共2页<12>
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