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崔苗

作品数：4 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇有源
  • 2篇入射
  • 2篇散热
  • 2篇散热问题
  • 2篇同时测量
  • 2篇空间分辨率
  • 2篇分辨率
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 1篇电子显微术
  • 1篇扫描透射电子...
  • 1篇树脂
  • 1篇透镜
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇脉冲
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻技术
  • 1篇光敏聚合物

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇周桃飞
  • 4篇崔苗
  • 3篇张锦平
  • 2篇徐科
  • 2篇黄俊
  • 2篇田飞飞
  • 2篇王建峰
  • 1篇黄小辉

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
人工仿生复眼的制作方法
本发明公开了一种人工仿生复眼的制作方法，其包括步骤：首先利用飞秒脉冲双光子聚合法制出反型曲面微透镜模子；并以此为基础利用紫外纳米压印制成一立体曲面微透镜模板；然后在立体曲面微透镜模板上制作弹性模子；接着将光敏树脂盛装在弹...
陈晔周桃飞崔苗
文献传递
In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光性质的影响被引量：6
2011年
利用扫描透射电子显微术(STEM)和变温光致发光光谱(PL)研究了In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光的影响。STEM发现两个样品量子阱结构相同,低温PL显示低In组分的样品的发光峰位随着温度的升高呈现出经典S(Red-Blue-Red)曲线。目前普遍认为蓝移是In组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高In组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高In组分造成的势起伏较大,在80K～160K条件下造成很大的热势垒,从而阻碍了载流子从强束缚局域态向弱束缚局域态的跃迁。同时,在高温段160K～300K载流子的带填充过程在峰位蓝移方面起主要作用。这是由于高In样品的量子限制效应较低In组分的明显,导致高温段峰位整体红移减小。
崔苗周桃飞张锦平黄小辉
关键词：INGAN/GAN扫描透射电子显微术光致发光光谱
同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法
一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法，包括如下步骤：提供一LED结构，所述LED结构包括衬底及其表面的器件层；提供一激发光，聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上，同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰；根据衬...
崔苗周桃飞徐科黄俊王建峰田飞飞张锦平
同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法
一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法，包括如下步骤：提供一LED结构，所述LED结构包括衬底及其表面的器件层；提供一激发光，聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上，同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰；根据衬...
崔苗周桃飞徐科黄俊王建峰田飞飞张锦平
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