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靳磊

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇存储器
  • 8篇铁电
  • 8篇铁电存储器
  • 7篇叠层
  • 6篇介质层
  • 4篇沟道
  • 4篇NAND型
  • 3篇电场
  • 3篇电路
  • 3篇栅极
  • 3篇闪存
  • 2篇电场分布
  • 2篇电平
  • 2篇电压
  • 2篇多晶
  • 2篇信号
  • 2篇信号电平
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇氧化铪
  • 2篇预充

机构

  • 20篇中国科学院微...
  • 1篇成都信息工程...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇长江存储科技...

作者

  • 20篇霍宗亮
  • 20篇靳磊
  • 14篇李春龙
  • 9篇洪培真
  • 5篇叶甜春
  • 4篇刘明
  • 2篇杨诗洋
  • 2篇杨潇楠
  • 2篇姜丹丹
  • 2篇王颀
  • 1篇刘璟
  • 1篇王永
  • 1篇曹华敏
  • 1篇李婷
  • 1篇王瑜
  • 1篇艾迪

传媒

  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2014
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法
本申请提供了一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法，其中，铁电存储器将沟道结构、源极和漏极设置于高于第一区域和第二区域的鳍部中，使得沟道结构的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构和第二控制结构，本申请实施例提供的...
霍宗亮闫亮李春龙邹兴奇洪培真张瑜靳磊
文献传递
硅纳米晶存储器的耐受性研究
2014年
首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷阱的退化机理进行了更深入细致的研究。从界面陷阱在禁带中的能级分布中发现,相较于未施加应力时界面陷阱的双峰分布,施加应力后产生了新的Pb1中心的双峰。最后,分别从降低擦写电压和对载流子预热的角度提出了三种新的编程方法,有效提高了硅纳米晶存储器件的耐受性。
姜丹丹霍宗亮靳磊杨潇楠王永刘明
关键词：耐受性能级分布
一种三维闪存预充方法
本申请提供一种三维闪存预充方法，用于对三维闪存结构进行预充，所述三维闪存结构的底部选择栅BSG与共源线CSL相连，连接相同的电压；所述预充方法在对三维闪存进行预充过程中，在目标时间段内为底部选择栅BSG与共源线CSL施加...
靳磊王治煜候伟贾信磊李春龙霍宗亮叶甜春
一种三维铁电存储器及其制造方法
本发明提供了一种三维铁电存储器及其制造方法，包括：在衬底表面形成堆叠层，堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和多晶硅层；对堆叠层第一侧和第二侧的侧壁进行刻蚀，并在堆叠层的中间区域形成贯穿堆叠层的沟道孔，第一侧和第二侧为堆叠层...
霍宗亮李春龙邹兴奇洪培真张瑜靳磊
文献传递
一种三维存储器的编程方法及编程系统
本申请公开了一种三维存储器的编程方法及编程系统，该方法对待编程存储结构的第一预设字线提供第一导通波形，对预设存储结构的第三预设字线和第四预设字线分别提供第二导通波形和第三导通波形，在第一阶段，由于第二导通波形的第五预设值...
靳磊王治煜候伟贾信磊李春龙霍宗亮
文献传递
一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法
本发明提供了一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法，该三维NAND型铁电存储器考虑到环删器件固有的电场调节作用，即相比平板叠栅，环栅介质叠层中，半径小的介质层电场增强，半径大的介质层电场减小，进而将铁电层集成在...
李春龙霍宗亮张瑜洪培真邹兴奇靳磊
文献传递
三维存储器及其制造方法
一种三维存储器制造方法，包括步骤：在衬底上形成第一材料层与第二材料层的堆叠结构；刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第一开孔；在每个第一开孔中形成填充层；在每个第一开孔周围，刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第二开孔；...
霍宗亮刘明靳磊
文献传递
HZO基铁电器件及其制作方法
本申请公开了一种HZO基铁电器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成氧化层；在所述氧化层背离所述半导体晶圆的一侧形成HZO层；在所述HZO层背离...
洪培真李春龙张保霍宗亮靳磊叶甜春
文献传递
一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路
本发明公开了一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路，该低压带隙基准产生电路包括依次连接的启动电路、运算放大器和核心电路，其中：启动电路，用于产生该运算放大器所需的偏置电流和偏置电压，从而保证运算放大器工作在正常状态...
李婷霍宗亮靳磊刘璟曹华敏王瑜姜丹丹杨潇楠刘明
文献传递
一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法
本发明提供了一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法，该三维NAND型铁电存储器基于现有的铁电存储器结构，在铁电层和介质层之间插入一层辅栅极材料层，构成三维NAND型铁电存储器，单元的栅极叠层为主栅极材料层、铁电...
霍宗亮李春龙张瑜洪培真邹兴奇靳磊
文献传递
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