王辉
- 作品数：15 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响被引量：2
- 2007年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.
- 王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾
- 关键词：INGANX射线衍射光致发光
- 含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
- 2011年
- 提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%.
- 唐龙娟郑新和张东炎董建荣王辉杨辉
- 关键词：太阳能电池外量子效率
- 晶圆级LED白光芯片的研发及产业化
- 王怀兵吴思王辉
- 作为一种新型的绿色光源，LED半导体照明受到了广泛关注。目前，科技部印发了《半导体照明科技发展“十二五”专项规划》，旨在推动半导体照明技术和产业创新发展，普及半导体照明的关键是发展高效率、低成本的LED芯片。目前，我国半...
- 关键词：
- 碳化硅半导体器件的退火方法
- 本发明涉及碳化硅半导体器件制备技术领域，尤其公开了一种碳化硅半导体器件的退火方法，所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片，该退火方法包括步骤：A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中；B、将反应...
- 王辉蔡勇张宝顺
- 文献传递
- 氮化镓基光电子材料与器件研究
- 杨辉刘建平孙钱张书明张立群李德尧田爱琴冯美鑫王怀兵王辉温鹏
- 显示技术是信息产业的一个重要支柱，预计2025年全球产值将超过3500亿美元/年。中国是显示大国，但不是显示强国，产业发展一直处于跟踪国外技术的状态，无法掌握产业发展的自主权和主动权并受制于人。激光显示作为新一代的显示技...
- 关键词：
- 关键词：光电子器件发光二极管激光器
- 蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低(英文)
- 2006年
- 采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻挡,窗口区内二次生长的GaN的位错也大幅降低;在相邻生长前沿所形成的合并界面处形成晶界;化学湿法腐蚀无法得到关于合并界面处缺陷的信息.侧翼区域中极低的穿透位错使得ELOG GaN适用于在其上制作高性能的氮化物基激光器.
- 陈俊王建峰王辉赵德刚朱建军张书明杨辉
- 关键词：金属有机物化学气相沉积GAN位错
- 轻掺SI对高质量GAN带边发光的影响
- 通过低温光致发光(LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE,LT PL)手段,我们研究了轻掺SI对高质量GAN 的光学性质的影响.据发现,在轻掺SI的GAN的PL谱中发现位于3.473EV处的发...
- 乐伶聪张书明杨辉赵德刚江德生吴亮亮李亮陈平刘宗顺朱建军王辉
- 关键词：MOCVD
- 文献传递网络资源链接
- 碳化硅二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种碳化硅二极管，包括碳化硅衬底以及形成于所述碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中，按照从顶部到底部的顺序依次设置有第一台阶面和第二台阶面；其中，在所述第一台阶面上，通过离子注入工艺形成一P+保护环...
- 王辉蔡勇张宝顺
- 文献传递
- F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法
- 一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器...
- 冯美鑫张书明王辉刘建平曾畅李增成王怀兵杨辉
- 文献传递
- 碳化硅二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种碳化硅二极管，包括碳化硅衬底以及形成于所述碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中，按照从顶部到底部的顺序依次设置有第一台阶面和第二台阶面；其中，在所述第一台阶面上，通过离子注入工艺形成一P+保护环...
- 王辉蔡勇张宝顺
- 文献传递
