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王从瑞

作品数：3 被引量：8H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化处理
  • 2篇电偶
  • 2篇热电偶
  • 2篇涡轮
  • 2篇涡轮发动机
  • 2篇金属
  • 2篇金属基
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇发动机
  • 2篇薄膜热电偶
  • 1篇一体化
  • 1篇时效
  • 1篇时效处理
  • 1篇SEEBEC...

机构

  • 3篇电子科技大学
  • 1篇中国燃气涡轮...

作者

  • 3篇张万里
  • 3篇陈寅之
  • 3篇蒋洪川
  • 3篇刘兴钊
  • 3篇王从瑞
  • 1篇唐磊
  • 1篇于浩

传媒

  • 1篇测控技术

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备被引量：8
2011年
采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al_O_3热氧化层、Al_O_3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al_O_3保护层构成。主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al_O_3绝缘层绝缘性的影响。静态标定结果表明,热电偶层厚度对NiCr/NiSi薄膜热电偶性能几乎没有影响。时效处理可显著提高NiCr/NiSi薄膜热电偶的热电性能和相对灵敏度。所制备的NiCr/NiSi薄膜热电偶的Seebeck系数达到37μV/K,最大相对灵敏度达到0.9左右。Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘性随温度的升高而降低,在室温至300℃范围内,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻大于100 MΩ,当温度升高到900℃时,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻下降为16 kΩ。
王从瑞蒋洪川陈寅之张万里刘兴钊唐磊于浩
关键词：时效处理SEEBECK系数
一种金属基薄膜热电偶及其生产方法
该发明属于金属基薄膜热电偶及其生产方法。其热电偶包括待测金属基板及设于其顶面的NiCrAlY合金过渡层，过渡层以上依次为金属铝层、AlN层、AlN陶瓷绝缘层、热电偶薄膜电极组以及氧化铝保护层；其生产方法为待测金属基板的处...
蒋洪川张万里王从瑞陈寅之刘兴钊李言荣
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一种金属基薄膜热电偶及其生产方法
该发明属于金属基薄膜热电偶及其生产方法。其热电偶包括待测金属基板及设于其顶面的NiCrAlY合金过渡层，过渡层以上依次为金属铝层、AlN层、AlN陶瓷绝缘层、热电偶薄膜电极组以及氧化铝保护层；其生产方法为待测金属基板的处...
蒋洪川张万里王从瑞陈寅之刘兴钊李言荣
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