齐爱谊
- 作品数：62 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 同相超模激光器
- 本公开提供一种同相超模激光器，包括：沿外延方向设置的衬底和至少两个相叠加的激光器单元；其中，至少两个相叠加的激光器单元中的相邻激光器单元之间设置有隧道结，至少两个相叠加的激光器单元的波导芯层相互耦合形成超模光学腔；以及远...
- 郑婉华王炬文齐爱谊徐传旺渠红伟周旭彦王亮
- 一种具有拓扑性质的条形半导体激光器阵列及其应用
- 本发明公开了一种具有拓扑性质的条形半导体激光器阵列，包括中心波导单元以及位于中心波导单元两侧的波导单元组阵列；其中，中心波导单元用于注入电流提供增益促使基超模激射；中心波导单元两侧的波导单元组阵列具有不同的拓扑性质，使得...
- 郑婉华陈静瑄傅廷王宇飞王学友齐爱谊
- 一种中红外波段调制器及其制备方法
- 本公开提供了一种中红外波段调制器的制备方法，包括：步骤1：SOI衬底顶层硅(1)与N型InSb衬底(20)真空键合；步骤2：减薄N型InSb衬底(20)后刻蚀出脊形N型InSb结构(2)，该脊形N型InSb结构(2)包括...
- 郑婉华彭红玲马丕杰董凤鑫石涛齐爱谊
- 文献传递
- 双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用
- 本发明公开了一种双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用，双边耦合超对称半导体激光器阵列包括：主阵列，由一个或者多个相连的第一波导单元构成，至少一个第一波导单元有电流注入并提供增益促使基超模激射；第一副阵列和第二...
- 郑婉华傅廷周旭彦贾宇飞陈静瑄王宇飞王学友齐爱谊
- 光子晶体激光器
- 本发明公开了一种光子晶体激光器，包括：有源层(6)；N型下波导层(5)，设置在有源层(6)下，用于形成电流注入通道和纵向光场限制；以及光子晶体波导层(4)，设置在N型下波导层(5)下，包括多个波导组件，每个波导组件包括：...
- 郑婉华徐传旺王亮渠红伟齐爱谊周旭彦王天财王炬文
- 文献传递
- 光子晶体激光器
- 本公开提供一种光子晶体激光器，涉及半导体激光器领域，其包括衬底，依次叠设于衬底上的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、绝缘层、欧姆接触层以及P面电极层；其中，在沿腔长方向的两面分别设置反射率均为0％的...
- 郑婉华徐传旺齐爱谊渠红伟周旭彦王亮王天财
- 基于光子晶体激光器的波长稳定激光光源
- 本发明提供了一种基于光子晶体激光器的波长稳定激光光源，包括：管壳、半导体制冷器、过渡块、热沉、低发散角单模光子晶体激光芯片、热敏电阻、背光探测器，带光纤光栅的球形光纤等组成。该激光光源采用低发散角单模光子晶体激光芯片与光...
- 郑婉华渠红伟张玉芳齐爱谊陈忠浩周旭彦贾宇飞
- 文献传递
- 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
- 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一...
- 渠红伟郑婉华张冶金张建心刘磊齐爱谊王海玲马绍栋石岩
- 文献传递
- 椭圆氧化孔径垂直腔面发射激光器的偏振特性
- 2024年
- 为了改善用于铷原子钟的795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振稳定性,研究了不同氧化孔径和椭圆度对VCSEL偏振性能的影响。利用COMSOL Multiphysics的波动光学频域模块模拟了不同氧化孔径对有源区谐振光强的影响。结果表明,当氧化孔径为3.5~4.0μm时,有源区的谐振强度最高。采用可实时观察的湿法氧化系统,研究了氧化温度对氧化速率和氧化孔椭圆度的影响。随着注入电流的增加,三种不同椭圆氧化孔的VCSEL表现出不同的模式特性、偏振特性和偏振角旋转特性。测试结果表明,带有长轴径为3.7μm、椭圆度为1.7的椭圆氧化孔的VCSEL性能最佳。在85℃下,当注入电流为1.5 mA时,输出功率为0.86 mW,激光波长为795.4 nm,边模抑制比(SMSR)为43 dB,线宽为65 MHz,正交偏振抑制比(OPSR)为23.8 dB。在0.6~2.7 mA的范围内,VCSEL的主偏振方向保持不变。
- 谢中华渠红伟渠红伟张建心隋佳桐孟凡胜宫凯郑妹茵王海玲王宇飞王海玲
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器湿法氧化窄线宽
- 高功率1060 nm垂直腔面发射激光器
- 2024年
- 为了提高1060 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的性能,本文对大功率1060 nm VCSEL进行了理论模拟和实验研究。计算得到红移速度为0.40 nm/K,据此确定增益和腔模失配量为-20 nm。对比分析了6种不同InGaAs组分和厚度的量子阱,以及3种不同势垒材料的增益特性和输出特性,模拟结果表明,应变补偿的InGaAs/GaAsP量子阱有源区在温度稳定性、阈值电流以及功率方面更有优势。对P型分布式布拉格反射镜(DBR)进行优化设计,优化DBR渐变层厚度和对数,有助于获得更好的输出特性。采用金属有机化学气相沉积生长了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的VCSEL外延片,并制备了单管和阵列VCSEL,实验数据和理论分析基本吻合。实验测得,288单元VCSEL阵列在4.5 A电流下,连续输出功率为2.62 W,最高电光转换效率为36.8%,5 mm×5 mm VCSEL阵列准连续条件下(脉宽为100μs,占空比为1%),且在100 A电流下,获得峰值功率为53.4 W。
- 郑妹茵渠红伟渠红伟董风鑫张建心隋佳桐张建心谢中华王海玲王宇飞齐爱谊
- 关键词：垂直腔面发射激光器高功率
