王斌
- 作品数：19 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程环境科学与工程更多>>
- 基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究被引量：2
- 2014年
- 分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考。
- 陈佳乔哲唐昭焕王斌谭开洲
- 关键词：VDMOS单粒子效应单粒子烧毁
- 埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究
- 2020年
- 对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660 V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440 V,远高于VDMOS关断时230 V的临界漏极电压;SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-3A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-4A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势。同类研究少见文献报道。对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530 V。
- 蔡浩张霞王斌谭开洲
- 关键词：静电感应晶体管MEDICI
- 一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法
- 本发明提供一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法，所述方法包括在带有第一导电杂质的半导体层，采用通用半导体工艺技术，在半导体层内部分区域形成被保护的有源区；通过刻蚀工艺在半导体材料片内形成一个或多个深槽；垂直半导体材料片...
- 谭开洲张霞唐昭焕吴雪王斌肖添朱坤峰杨永晖王健安张振宇邱盛张静崔伟黄东
- 文献传递
- 双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：1
- 2012年
- 针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品率得到明显提高。
- 唐昭焕王大平梁涛李荣强王斌任芳崔伟谭开洲
- 关键词：半导体工艺刻蚀双层布线
- 等离子刻蚀铝硅铜表面质量控制技术研究
- 2012年
- 针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件。使用优化刻蚀工艺条件,极大地提升了用AlSiCu作金属互连的模拟IC的表面镜检合格率,为其他金属互连的表面质量控制提供了参考。
- 王大平唐昭焕梁涛朱煜开王斌谭开洲
- 关键词：等离子体刻蚀金属互连
- 抗辐射加固场效应管
- 付晓君唐昭焕许斌刘伦才刘凡杨丰王斌向飞王建安任芳孟华群许沄胡波黄炜向凡
- 抗辐射加固设计技术，抗辐射加固技术指标：抗总剂量：≥300Krad(Si)；抗单粒子≥75MeV/mg/cm<'2>；抗中子≥1E14n/cm<'2>；抗瞬态剂量率≥1E11 rad(Si)/s；产品电参数指标：P沟道场...
- 关键词：
- SAM008型高强度气体放电灯(HID)电子镇流器
- 王斌曾家黔刘中其胡立雪徐勇罗丁
- 该产品通过自主研发的嵌入式控制软件及相关电路，实现了对D2S、D2P型HID氙灯的启动、恒流、恒功率的稳定控制。该项目解决了高压启动电路设计、MCU控制策略、控制软件设计、抗电磁干扰、系统可靠性等技术难题，特别在控制策略...
- 关键词：
- 关键词：高强度气体放电灯电子镇流器
- 用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法
- 一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅片二上生长埋氧...
- 唐昭焕税国华胡刚毅李儒章王斌张杨波吴建
- 文献传递
- 一种数字控制HID灯电子镇流器的研制被引量：4
- 2005年
- 介绍了一种单片机数字控制车用前照明高强度气体放电灯(high intensity discharge,HID)电子镇流器。镇流器系统主要由高频DC/DC开关电源、DC/AC逆变器、高压启动电路和单片机控制电路组成。它通过单片机软件编程,实现精确的数字控制,确保HID灯启动复杂的时序控制和恒功率控制过程,而且可以很好地处理各种故障模式,具有输入过压/欠压保护,输入反接保护,输出短路、开路保护等功能。
- 王斌曾家黔胡立雪
- 关键词：高强度气体放电灯电子镇流器单片机
- 一种高压集成电容结构的可靠性研究
- 2014年
- 针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得出一系列上升沿时间小于200ns的电容结构下极板最大可靠宽度。
- 王坤谭开洲唐昭焕殷万军罗俊黄磊王斌
- 关键词：高压集成电路电容可靠性
