您的位置： 专家智库 > >

杨天应

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇介电
  • 2篇可调
  • 2篇固态
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇电调
  • 1篇电调带通滤波...
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇体声波
  • 1篇体声波谐振器
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电电容
  • 1篇频率可调
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇谐振器
  • 1篇滤波器

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇杨天应
  • 3篇蒋书文
  • 3篇黎彬
  • 3篇赵华
  • 2篇李言荣
  • 1篇姜斌

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
BST薄膜可调FBAR器件的建模与仿真
BarSr1-xTiO3(BST)薄膜FBAR器件,提出一种固态封装型(SMR)体声波谐振器的等效电路模型，建立了纵向声速与机电耦合系数以及介电常数的关系式.在ADS软件中实现谈模型，并进行BST薄膜FBAR器件的仿真设...
杨天应蒋书文赵华黎彬姜斌李言荣
关键词：频率可调介电常数
BaxSr1-xTiO3薄膜可调体声波谐振器的研究
随着通信技术向多频段、多模式方向的发展，迫切需要小型化且能够工作于不同频段的压控可调滤波器。传统压电材料，如AlN、ZnO和PZT等制备的薄膜体声波谐振器（FBAR）要实现可调非常困难，而且可调范围小、速度慢、功率承载能...
杨天应
关键词：薄膜体声波谐振器钛酸锶钡
文献传递
BST铁电电容研制及电调带通滤波器的设计
了低顾耗、高可调的BST铁电电容，该电容介电损耗约0.01、介电调谐率约55％.采用该BST变容管设计了梳状线结构的2.0 GHz三阶耦合谐振带通滤波器.仿真结果表明，当BST电容从0.95 pF调节到0.55 pF时，...
赵华蒋书文杨天应黎彬李言荣
关键词：铁电电容带通滤波器
溅射气压对Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜结构及介电性能的影响被引量：1
2011年
采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃,溅射气压为5 Pa,体积比??(O2:Ar)为15:85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6×106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26%,介质损耗约0.8%;在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10–8 A/cm2。
黎彬赵华杨天应蒋书文
关键词：射频磁控溅射介质损耗
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0