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黎彬

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇介电
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇电调
  • 1篇电调带通滤波...
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电电容
  • 1篇频率可调
  • 1篇滤波器
  • 1篇介电常数
  • 1篇介质损耗
  • 1篇可调
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射气压
  • 1篇固态
  • 1篇封装
  • 1篇NB

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇蒋书文
  • 3篇杨天应
  • 3篇黎彬
  • 3篇赵华
  • 2篇李言荣
  • 1篇姜斌

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
BST铁电电容研制及电调带通滤波器的设计
了低顾耗、高可调的BST铁电电容，该电容介电损耗约0.01、介电调谐率约55％.采用该BST变容管设计了梳状线结构的2.0 GHz三阶耦合谐振带通滤波器.仿真结果表明，当BST电容从0.95 pF调节到0.55 pF时，...
赵华蒋书文杨天应黎彬李言荣
关键词：铁电电容带通滤波器
溅射气压对Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜结构及介电性能的影响被引量：1
2011年
采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃,溅射气压为5 Pa,体积比??(O2:Ar)为15:85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6×106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26%,介质损耗约0.8%;在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10–8 A/cm2。
黎彬赵华杨天应蒋书文
关键词：射频磁控溅射介质损耗
BST薄膜可调FBAR器件的建模与仿真
BarSr1-xTiO3(BST)薄膜FBAR器件,提出一种固态封装型(SMR)体声波谐振器的等效电路模型，建立了纵向声速与机电耦合系数以及介电常数的关系式.在ADS软件中实现谈模型，并进行BST薄膜FBAR器件的仿真设...
杨天应蒋书文赵华黎彬姜斌李言荣
关键词：频率可调介电常数
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