- InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀被引量：5
- 2013年
- 分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。
- 陈永远邓军史衍丽苗霈杨利鹏
- 关键词：ICP刻蚀GASBARCL2AR
- InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响被引量：1
- 2014年
- 利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高。
- 吴波邓军杨利鹏田迎韩军李建军史衍丽
- 关键词：INPMOCVDINGAAS
- GaSb基Ⅱ类超晶格双色红外探测器研究
- 红外探测器可广泛应用于卫星检测、红外制导、红外预警和红外成像等方面，特别是在红外预警等方面双色探测器具有比单色器件更好的准确性和可靠性。近年来，InAs/GaSbⅡ类超晶格因其独特的能带结构和潜在的应用受到广泛的关注。这...
- 杨利鹏
- 关键词：红外探测器N-P-N结构
