陆江
- 作品数：94 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：四川省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程电气工程更多>>
- 基于功率MOS线性高压放大器设计被引量：1
- 2010年
- 为了实现对输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0~5 V时,电路可实现0~50 V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140^+140 V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。
- 张浩王立新陆江刘肃
- 关键词：功率MOSFET运算放大器功率驱动
- 一种绝缘栅双极晶体管
- 本申请提供的一种绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：N+发射极，Pwell区域，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区；载流子存储层；P注入层；无圆胞区域，所述无圆胞区域中设置有局部栅极变窄偏...
- 陆江刘海南蔡小五卜建辉罗家俊
- 一种晶体管、钳位电路及集成电路
- 本发明公开了一种晶体管、钳位电路及集成电路，所述晶体管包括：衬底、位于所述衬底上的氧化物层、位于所述氧化物层上的硅层；所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的...
- 蔡小五罗家俊刘海南曾传滨卜建辉陆江赵海涛
- 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构
- 本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在P衬底内设置有第一N型掺杂区、P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一N型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，且，第二N型重掺杂区位于第一...
- 蔡小五曾传滨赵海涛刘海南卜建辉陆江罗家俊
- 文献传递
- 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管
- 本申请提供的一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：集电极、发射极，栅极，所述栅极的底部区域形成横向展宽结构；埋栅结构，所述横向展宽结构的下方横向扩展形成所述埋栅结构；其中，所述埋栅结构与发射极电位...
- 陆江刘海南卜建辉蔡小五罗家俊
- 文献传递
- 一种用于130mm功率器件的结电容测试电路及装置
- 本实用新型公开了一种本用于130mm功率器件模块的结电容测试电路，属于功率半导体器件结电容测试装置技术领域。该电路包括三个晶体管单元、电源连接点、低电压电流连接点、地电压连接点、电阻、短路电容、电感、第Ⅰ输入电容、第Ⅰ输...
- 高振鹏朱阳军陆江胡爱斌佘超群成星
- 文献传递
- 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件
- 本申请提供的一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极接触，所述N+源极接触为深槽结构；Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell...
- 陆江刘海南卜建辉蔡小五罗家俊
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- N沟道SiC IGBT器件的制作方法
- 本说明书提供一种N沟道SiC IGBT器件的制作方法，包括：形成重掺杂的N型SiC衬底；在SiC衬底的C面生成P型重掺杂SiC集电层，在SiC衬底的Si面生成N型轻掺杂的SiC漂移层；在SiC漂移层的Si面制作MOS结构...
- 冯旺田晓丽杨雨白云陆江刘新宇
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- 一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法
- 本发明公开了一种4H‑SiC MOSFET功率器件及其制造方法，该功率器件包括：源极(1)、SiO<Sub>2</Sub>层间介质(2)、栅极(3)、栅氧化层(4)、P+接触区(5)、N+源区(6)、P阱(7)、额外注入...
- 宋瓘白云陈宏汤益丹杨成樾田晓丽陆江刘新宇
- 文献传递
- 一种测量双极性器件峰值结温分布的方法
- 本发明公开了一种测量双极性器件峰值结温分布的方法，属于双极性器件的技术领域。该方法包括采集双极性器件的多阶梯恒流脉冲所对应的温敏参数，获得双极性器件的电流-温敏参数-温度三维曲线簇；选定基准电流，得到基准电流的序列；根据...
- 朱阳军董少华王任卿陆江
- 文献传递
